[发明专利]内存电压控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压控制电路，特别涉及一种应用于电脑主机板的内存电压控制电路。

背景技术

随着PC(Personal Computer，个人电脑)主机板的不断发展，内存的品种也日益繁多，目前市面上的内存主要有DDR(Double Data Rate，双倍资料速率)、DDR2(Double DataRate 2，双倍资料速率2)、DDR3(Double Data Rate 3，双倍资料速率3)，目前一些高端芯片组可同时支持DDR2、DDR3类型的内存，但是当用户不注意时容易造成两种类型内存混合使用，则会出现烧毁内存或主机板的现象。

使用DDR2内存时，电压转换电路的输出电压为1.8V，使用DDR3内存时，电压转换电路的输出电压为1.5V，故当DDR2、DDR3同时使用时，电压转换电路会将输出电压同时提供给DDR2和DDR3内存，由于DDR2和DDR3内存不能兼容，所以当主机板同时给DDR2和DDR3内存供电时，会出现烧毁内存或主机板的现象。

发明内容

鉴于上述内容，有必要提供一种内存电压控制电路，防止同时使用两种不同类型的内存而使主机板或内存被烧毁。

一种内存电压控制电路，包括一控制电路、一电压转换电路、一开关电路、一第一插槽及一第二插槽，所述第一插槽与第二插槽为不同类型内存插槽，所述控制电路接收所述第一插槽与第二插槽的内存识别信号，并根据所述内存识别信号控制所述电压转换电路的输出电压值，同时所述第二插槽的内存识别信号控制所述开关电路的导通或关闭以此控制所述电压转换电路的输出电压提供给所述第一插槽或所述第二插槽。

相较现有技术，所述内存电压控制电路通过所述开关电路开控制所述电压转化电路的输出电压是否提供给所述第一插槽，以此避免同时使用两种类型的内存时，造成内存或主机板烧毁。

附图说明

下面参照附图结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述：

图1为本发明内存电压控制电路的较佳实施方式的原理框图。

图2为图1的电路图。

具体实施方式

请参照图1，本发明内存电压控制电路的较佳实施方式包括一控制电路10、一电压转换电路20、一开关电路30、一第一插槽40(如DDR2插槽)及一第二插槽50(如DDR3插槽)。所述控制电路10接收所述第一插槽40与第二插槽50的内存识别信号，并根据所述内存识别信号控制所述电压转换电路20的输出电压值，所述第二插槽50的内存识别信号控制所述开关电路30的导通或关闭以此控制所述电压转换电路20的输出电压提供给所述第一插槽40或第二插槽50。

请继续参照图2，所述控制电路10包括一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第三电阻R3、一第四电阻R4、一第五电阻R5、一第一场效应管Q1、一第二场效应管Q2及一系统备用电源5V_SB_SYS。所述第一场效应管Q1的栅极连接所述第一插槽40的内存识别引脚GNDDET及经第一电阻R1连接所述系统备用电源5V_SB_SYS，其源极接地，漏极经所述第二电阻R2连接所述系统备用电源5V_SB_SYS，所述第二插槽50的内存识别引脚GNDDET分别连接所述第一场效应管Q1的漏极及所述第二场效应管Q2的栅极，所述第二场效应管Q2的源极接地，其漏极依次经第三电阻R3及第四电阻R4接地，所述电压转换电路20经所述第五电阻R5连接于所述第三电阻R3与所述第四电阻R4之间的节点。

所述电压转换电路20包括一第三场效管Q3、一第四场效管Q4、一第五场效管Q5、一第六场效管Q6、一第六电阻R6、一第七电阻R7、一第八电阻R8、一第一电容C1、一第二电容C2、一第三电容C3、一第一电感L1、一第二电感L2及一双模电源5V_DUAL。所述第三场效管Q3的栅极连接所述第四场效管Q4的栅极及经所述第六电阻R6连接一开关电源调节器(未示出)的第一门控引脚VRAM_UGATE，其漏极经所述第一电容C1接地、经所述第一电感L1连接所述双模电源5V_DUAL及连接所述第四场效应管Q4的漏极，所述第三场效管Q3的源极连接所述第五场效应管Q5的漏极，所述第五场效应管Q5的栅极连接所述第六场效管Q6的栅极及经所述第七电阻R7连接所述开关电源调节器的第二门控引脚VRAM_LGATE，所述第五场效应管Q5的源极连接所述第六场效应管Q6的源极并接地，其漏极连接所述第六场效管Q6的漏极及所述第四场效管Q4的源极后分别依次经所述第八电阻R8与所述第二电容C2接地及依次经所述第二电感L2与所述第三电容C3接地，所述控制电路10通过所述第五电阻R5的一端连接于所述第二电感L2与所述第三电容C3之间的节点。