[发明专利]内存电压控制电路

权利要求书

【权利要求1】一种内存电压控制电路，包括一控制电路、一电压转换电路、一开关电路、一第一插槽及一第二插槽，所述第一插槽与第二插槽为不同类型内存插槽，所述控制电路接收所述第一插槽与第二插槽的内存识别信号，并根据所述内存识别信号控制所述电压转换电路的输出电压值，同时所述第二插槽的内存识别信号控制所述开关电路的导通或关闭以此控制所述电压转换电路的输出电压提供给所述第一插槽或所述第二插槽。

【权利要求2】如权利要求1所述的内存电压控制电路，其特征在于：所述控制电路包括一第一电阻、一第二电阻、一第三电阻、一第四电阻、一第五电阻、一第一场效应管、一第二场效应管及一系统备用电源，所述第一场效应管的栅极连接所述第一插槽的内存识别信号引脚及经第一电阻连接所述系统备用电源，其源极接地，漏极连接所述第二场效应管的栅极及经所述第二电阻连接所述系统备用电源，所述第二场效应管的源极接地，其漏极经第三电阻及第四电阻接地，所述电压转换电路经所述第五电阻连接于所述第三电阻与所述第四电阻之间的节点。

【权利要求3】如权利要求1所述的内存电压控制电路，其特征在于：所述电压转换电路包括一第三场效管、一第四场效管、一第五场效管、一第六场效管、一第六电阻、一第七电阻、一第八电阻、一第一电容、一第二电容、一第三电容、一第一电感、一第二电感及一双模电源，所述第三场效管的栅极连接所述第四场效管的栅极及经所述第六电阻连接一开关电源调节器的第一门控引脚，其漏极经所述第一电容接地、经所述第一电感连接所述双模电源及连接所述第四场效应管的漏极，其源极连接所述第五场效应管的漏极，所述第五场效应管的栅极连接所述第六场效管的栅极及经所述第七电阻连接所述开关电源调节器的第二门控引脚，其源极连接所述第六场效应管的源极并接地，其漏极连接所述第六场效管的漏极及所述第四场效管的源极后分别经所述第八电阻与所述第二电容接地及依次经所述第二电感与所述第三电容接地，所述控制电路连接于所述第二电感与所述第三电容之间的节点。

【权利要求4】如权利要求1所述的内存电压控制电路，其特征在于：所述开关电路包括一第七场效应管、一第八场效应管、一第九场效应管、一第九电阻、一第十电阻、一第十一电阻、一第一二极管及一第二二极管，所述第七场效应管的栅极连接所述第二插槽的内存信号识别引脚，其源极连接所述第八场效应管的源极并接地，其漏极连接所述第八场效应管的栅极及经所述第九电阻分别连接所述备用系统电源及所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述第二二极管的阴极并经所述第十电阻连接于所述第八场效应管的漏极与所述第九场效应管的栅极之间的节点，所述第二二极管的阳极连接一系统电源，所述第九场效应管的漏极连接于所述第二电感与所述第三电容之间的节点及连接所述第二插槽，其源极连接所述第一插槽及经所述第十一电阻接地。

【权利要求5】如权利要求1所述的内存电压控制电路，其特征在于：所述第一插槽为DDR2内存插槽，所述第二插槽为DDR3内存插槽。