[发明专利]固态发光元件无效
| 申请号： | 200710202668.4 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447537A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈杰良 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 发光 元件 | ||
【权利要求1】一种固态发光元件，其包括一透明导电基板，一设置在所述透明导电基板上的第一型束缚层，一设置在所述第一型束缚层上的发光活性层，一设置在所述发光活性层上的第二型束缚层，一设置在所述第二型束缚层上的电极，其特征在于：所述透明导电基板所用材料为氢化的碳化硅。
【权利要求2】如权利要求1所述的固态发光元件，其特征在于：所述第一型束缚层与所述第二型束缚层分别为含有纳米粒子的第一型半导体层与含有纳米粒子的第二型半导体层。
【权利要求3】如权利要求2所述的固态发光元件，其特征在于：所述纳米粒子的材料为硅氧化物、硅氮化物、铝氧化物、镓氧化物或硼氮化物。
【权利要求4】如权利要求3所述的固态发光元件，其特征在于：所述纳米粒子的粒径为20~200纳米。
【权利要求5】如权利要求2所述的固态发光元件，其特征在于：所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。
【权利要求6】如权利要求5所述的固态发光元件，其特征在于：所述N型半导体层所用材料为N型氮化镓，N型磷化铟，N型磷化铟镓或N型磷化铝镓铟。
【权利要求7】如权利要求5所述的固态发光元件，其特征在于：所述P型半导体层所用材料为P型氮化铝镓或P型砷化铝镓。
【权利要求8】如权利要求5所述的固态发光元件，其特征在于：所述发光活性层中具有单个量子阱结构或多个量子阱结构。
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