[发明专利]包括刷新操作的电阻式存储器

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

电阻式存储单元阵列；

计数器，具有基于温度的增量步长；以及

电路，用于响应于所述计数器超过预置值来刷新所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，响应于所述存储装置的每个时钟周期，所述计数器递增。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，响应于所述存储装置的每次读访问，所述计数器递增。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述计数器的增量步长包括第一温度下的第一步长和比所述第一温度高的第二温度下的大于所述第一步长的第二步长。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括多比特电阻式存储单元阵列。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括相变存储单元阵列。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电路位于与所述电阻式存储单元阵列相同的芯片上。

8.一种存储装置，包括：

电阻式存储单元阵列；

计数器，被配置为用于响应于所述存储装置的每个时钟周期以及响应于所述存储装置的每次读访问而递增；以及电路，用于响应于所述计数器超过预置值来刷新所述阵列中的存储单元。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，对于每个时钟周期的所述计数器的第一增量步长响应于所述存储装置的温度而改变，以及对于每次读访问的所述计数器的第二增量步长响应于所述温度而改变。

10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述第一增量步长包括第一温度下的第一步长和比所述第一温度高的第二温度下的大于所述第一步长的第二步长。

11.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述第二增量步长包括第一温度下的第一步长和比所述第一温度高的第二温度下的大于所述第一步长的第二步长。

12.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括多比特电阻式存储单元阵列。

13.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括相变存储单元阵列。

14.一种存储装置，包括：

电阻式存储单元阵列；

第一计数器，被配置为用于响应于所述存储装置的每次读访问而递增；以及

电路，被配置为用于响应于所述第一计数器超过第一预置值来刷新所述阵列中的存储单元。

15.根据权利要求14所述的存储装置，还包括：

第二计数器，被配置为用于响应于所述存储装置的每个时钟周期而递增，

其中，所述电路被配置为用于响应于所述第二计数器超过第二预置值而刷新所述阵列中的存储单元。

16.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述第一计数器的第一增量步长响应于所述存储装置的温度而改变，以及所述第二计数器的第二增量步长响应于所述温度而改变。

17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述第一增量步长包括第一温度下的第一步长和比所述第一温度高的第二温度下的大于所述第一步长的第二步长。

18.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述第二增量步长包括第一温度下的第一步长和比所述第一温度高的第二温度下的大于所述第一步长的第二步长。

19.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括多比特电阻式存储单元阵列。

20.根据权利要求15所述的存储装置，其中，所述电阻式存储单元阵列包括相变存储单元阵列。

21.一种用于刷新存储器的方法，所述方法包括：

基于所述存储器温度将计数器递增一个步长；以及

响应于所述计数器超过预置值来刷新所述存储器的电阻式存储单元。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，递增所述计数器包括响应于所述存储器的每个时钟周期来递增所述计数器。