[发明专利]具有图案化介质的垂直磁记录系统和该介质的制造方法有效
| 申请号: | 200710186334.2 | 申请日: | 2007-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN101178907A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
| 发明(设计)人: | 埃里克·E·富勒顿;奥拉夫·赫尔威格;杰弗里·S·利利;詹姆斯·T·奥尔森;彼得勒斯·A·范德海登;杨宏渊 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/74 | 分类号: | G11B5/74;G11B5/73;G11B5/64;G11B5/84 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 图案 介质 垂直 记录 系统 制造 方法 | ||
1.一种图案化磁记录介质,包括:
衬底,具有基本平坦的表面和多个基本垂直地从所述表面延伸的间隔开的柱体;
所述柱体的顶部上的具有垂直磁各向异性的记录层,所述记录层由包括从Co、Fe、Pt和Pd构成的组中选择的一种或多种元素的材料形成;以及
在所述表面处所述柱体之间的非磁区域,所述非磁区域包括所述记录层元素中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的介质,其中所述衬底包括从Si和Ge中选择的材料,所述非磁区域包括所述至少一种记录层元素和所选择的Si或Ge的化合物。
3.根据权利要求1所述的介质,其中所述衬底包括具有所述基本平坦的表面的基本非晶Si层,所述非磁区域包括所述至少一种记录层元素和Si的化合物。
4.根据权利要求3所述的介质,其中所述衬底还包括导磁材料软磁衬层以及所述衬层和所述非晶Si层之间的扩散阻挡层。
5.根据权利要求1所述的介质,其中所述衬底包括具有所述基本平坦的表面的第一扩散阻挡层,其中所述柱体包括从Si和Ge中选择的材料,其中所述非磁区域还包括来自所述柱体的所述选择的Si或Ge,且还包括所述记录层和所述柱体末端之间的第二扩散阻挡层。
6.根据权利要求5所述的介质,其中所述衬底还包括导磁材料软磁衬层,所述第一扩散阻挡层形成于所述衬层上。
7.根据权利要求1所述的介质,其中所述柱体由选自氮化硅、氧化硅、氧化铝、W、W合金、Mo、Mo合金、Nb、Nb合金、Ta、Ta合金、Re和Re合金构成的组的非磁材料形成。
8.根据权利要求1所述的介质,其中所述记录层为从Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层构成的组中选择的多层。
9.根据权利要求1所述的介质,其中所述记录层材料包括颗粒Co合金。
10.根据权利要求1所述的介质,其中所述记录层材料包括从CoPt、CoPd、FePt和FePd构成的组选择的化学有序合金。
11.根据权利要求1所述的介质,其中所述柱体设置在所述衬底上多个基本同心的圆形道中。
12.根据权利要求1所述的介质,其中所述柱体设置在所述衬底上互相垂直的行的阵列中。
13.一种图案化磁记录介质,包括:
衬底,所述衬底包括Si且具有基本平坦的表面和多个从所述表面基本垂直地延伸的间隔开的柱体,所述柱体具有基本共面的末端;
所述柱体的末端上的具有垂直磁各向异性的记录层,所述记录层由包括从Co、Fe、Pt和Pd构成的组中选择的一种或多种元素的材料形成;以及
所述表面处所述柱体之间的非磁区域,所述非磁区域包括Si和所述记录层元素中的至少一种的化合物。
14.根据权利要求1所述的介质,其中所述衬底包括具有所述基本平坦的表面的基本非晶Si层。
15.根据权利要求14所述的介质,其中所述衬底还包括导磁材料软磁衬层以及所述衬层和所述非晶Si层之间的扩散阻挡层。
16.根据权利要求15所述的介质,其中所述衬层材料包括从CoNiFe、FcCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB和CoZrNb构成的合金的组中选择的合金。
17.根据权利要求13所述的介质,其中所述记录层包括从Co和Fe构成的组选择的第一材料和从Pt和Pd构成的组选择的第二材料的交替层的多层。
18.根据权利要求13所述的介质,其中所述记录层材料包括颗粒Co合金。
19.根据权利要求18所述的介质,其中所述记录层材料还包括Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B的一种或多种的氧化物。
20.根据权利要求13所述的介质,其中所述记录层材料包括从CoPt、CoPd、FePt和FePd构成的组中选择的化学有序合金。
21.根据权利要求13所述的介质,其中所述介质为磁记录盘且其中所述柱体设置在所述衬底上多个基本同心的圆形道中。
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