[发明专利]用于硅片台的气动真空控制系统

权利要求书

1、一种用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述气动真空控制系统包括：

气控装置，使用电磁阀控制，包括两路进气，四路出气，进气为系统真空、环境大气和先导清洁气体，出气根据需要选择输出；

底板气路结构，气控装置的电磁阀安装其上，构成阀岛，内部集成所有气路管道，留下两个进气口和四个出气口。

2、如权利要求1所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述的气控装置包括：两个调压阀，一个单电控二位三通阀，四个双电控二位五通阀。

3、如权利要求1和2所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述先导清洁气体和系统真空经过各自调压阀获得所需压力，分别接入四个双电控二位五通阀的一个进气口进行选择待用。

4、如权利要求1和2所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述环境大气与调压后的先导清洁气体经过一个单电控二位三通阀进行选择，然后接入双电控二位五通阀的一个进气口待用。

5、如权利要求1和2所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征还在于四个双电控二位五通阀的出气口都接有压力传感器。

6、如权利要求1和2所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述气路结构双电控二位五通阀的两个出口相连通，对外部仅设一个出口，出口气体性质由双电控二位五通阀自身进行选择。

7、如权利要求1所述的用于硅片台的气动真空控制系统，其特征在于所述气控装置的进气、出气与底板气路结构的进气口、出气口相对应连接。