[发明专利]电流低压高速比较器

权利要求书

1.一种电流低压高速比较器，其特征在于，包括：

AB类电流镜输入电路，与第一输入电流信号(Iinp)和第二输入电流信号(Iinn)相连，用于提高输入范围，减小输入失调，产生第一输出(Ip)和第二输出(In)；

偏置电路，与所述AB类电流镜输入电路的第一输入端(VB1)和第二输入端(VB2)连接，用于产生所述AB类电流镜输入电路的电流偏置或电压偏置；

再生锁存器，与所述AB类电流镜输入电路的输出端连接，用于锁存并比较所述AB类电流镜输入电路的第一输出(Ip)和第二输出(In)；

时钟控制电路，用于生成控制所述再生锁存器用的第一时钟(f1)和第二时钟(f2)，所述第一时钟(f1)和所述第二时钟(f2)为两相非重叠时钟；以及

SR锁存器，与所述再生锁存器的输出端连接，用于稳定所述再生锁存器的输出在数字输出电平。

2.根据权利要求1所述的电流低压高速比较器，其特征在于：

所述再生锁存器包括：

第一MOS管(MP1)，用于预充电；

第二MOS管(MP2)，与所述第一MOS管(MP1)的源极相连；

第三MOS管(MP3)，与所述第二MOS管(MP2)形成一对第一再生锁存管(PFF)，其栅极与所述第一MOS管(MP1)的漏极相连；

第四MOS管(MP4)，用于预充电，其漏极与所述第二MOS管(MP2)的栅极相连，其中，所述第一MOS管(MP1)、所述第二MOS管(MP2)、所述第三MOS管(MP3)、所述第四MOS管(MP4)的源极相连在一起；

第五MOS管(MP5)，根据所述时钟控制电路所生成的第二时钟(f2)进行动作，在复位相时将所述第一再生锁存管(PFF)的两端短接，从而起到复位的作用；

第六MOS管(MP6)，其源极与所述第二MOS管(MP2)的漏极相连；

第七MOS管(MP7)，其源极与所述第三MOS管(MP3)的漏极相连；

第八MOS管(MN1)，用于预充电，其栅极与所述第六MOS管(MP6)的漏极相连；

第九MOS管(MN2)，其漏极与所述第六MOS管(MP6)的漏极相连；

第十MOS管(MN3)，与所述第九MOS管(MN2)一起形成第二再生锁存管(NFF)，其栅极与所述第八MOS管(MN1)的漏极相连，其漏极与所述第七MOS管(MP7)的漏极相连；

第十一MOS管(MN4)，其漏极与所述第九MOS管(MN2)的栅极相连，其中，所述第八MOS管(MN1)、所述第九MOS管(MN2)、所述第十MOS管(MN3)、所述第十一MOS管(MN4)的源极相连在一起；

第十二MOS管(MN5)，与所述AB类电流镜输入电路的第一输出(Ip)相连，根据所述时钟控制电路所生成的第一时钟(f1)进行动作，对接入的所述AB类电流镜输入电路的输出电流的路径起到分开复位相和再生相的作用，其漏极与所述第二MOS管(MP2)的漏极相连；

第十三MOS管(MN6)，与所述AB类电流镜输入电路的第二输出(In)相连，根据所述时钟控制电路所生成的第一时钟(f1)进行动作，对接入的所述AB类电流镜输入电路的输出电流的路径起到分开复位相和再生相的作用，其漏极与所述第三MOS管(MP3)的漏极相连；以及

反相器(Inv1)，连接在所述第四MOS管(MP4)的栅极和所述第十一MOS管(MN4)的栅极之间，用于取得所述第一再生锁存管(PFF)和所述第二再生锁存管(NFF)的控制端的同步。