[发明专利]电光装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及具有对向配置的一对基板、并且对一方的基板的晶体管进行遮光的遮光膜形成于另一方基板上的电光装置及电子设备。

背景技术

众所周知，电光装置例如光透射型的液晶装置在由玻璃基板、石英基板及硅基板等形成的2片基板间夹置液晶来构成，在一方的基板上将例如薄膜晶体管等开关元件及像素电极配置成矩阵状，在另一方的基板上配置对向电极，通过使介于两个基板间的液晶层的光学特性相应于图像信号产生变化，而可以进行图像显示。

另外，配置晶体管的作为一方的基板的元件基板和与该元件基板对向配置的作为另一方的基板的对向基板要分别制造。元件基板及对向基板通过例如在石英基板上叠层具有预定图形的半导体薄膜、绝缘性薄膜或导电性薄膜，来构成。并且通过按每层反复进行各种膜的成膜工艺和光刻工艺，来形成。

此外，在元件基板上，按每个像素电极设置的多个晶体管分别构成于在液晶装置的显示区域内形成为矩阵状、对像素电极提供图像信号的数据线和对晶体管提供导通信号的扫描线之间的交叉区域。

这里，存在下述之类的问题，即若对晶体管上已知的半导体层，特别是半导体层的沟道区域及半导体层的与像素电极电连接的区域侧入射了光，则除了晶体管出现误工作，在液晶装置中发生因截止泄漏电流引起的显示不均匀、串扰及闪烁之外，还发生显示过程中对比度下降等的显示不佳。

鉴于这类问题，下述液晶装置的结构已为众所周知，该液晶装置的结构为，通过在叠层于元件基板上的各种薄膜之内，在半导体层的下层设置遮光膜，该遮光膜在俯视的状态下覆盖半导体层的下侧，并且在半导体层的上层设置遮光膜，该遮光膜在俯视的状态下覆盖半导体层的上侧，而可以防止对半导体层入射光。

举出一例，就是下述结构已为众所周知，该结构为，扫描线作为在俯视的状态下覆盖半导体层下侧的遮光膜来发挥作用，数据线和保持像素电极电压的电容线作为在俯视的状态下覆盖半导体层上侧的遮光膜来发挥作用。

另外，下述结构已为众所周知，并且例如已经在专利文献1中进行了公示，该结构为，还在对向基板上，在显示区域内、在各像素的周围按条带状或矩阵状形成遮光膜。专利文献1所公示的形成于对向基板上的矩阵状遮光膜，由于当对元件基板贴合了对向基板时，位于俯视与在元件基板上形成为矩阵状的扫描线及数据线重合的位置，因而其作用为和元件基板侧的遮光膜一起防止对晶体管入射光。

专利文献1：  特开2003-121879号公报

可是，叠层薄膜后的对向基板要由自动设备的吸附头等来吸附，相对叠层薄膜后的元件基板，通过密封材料位置准确度良好地进行粘合。

具体而言，对于在元件基板侧形成为矩阵状的扫描线及数据线，在对向基板侧形成为矩阵状的遮光膜要位置准确度良好地进行粘合，使之在俯视的状态下重合，以便还利用对向基板的遮光膜对晶体管进行遮光。

但是，却难以相对元件基板，将对向基板完全位置准确度良好地进行粘合。另外，即使对于元件基板将对向基板位置准确度良好地进行了粘合，若在元件基板或对向基板上产生弯曲等，则有时相对于元件基板、对向基板位置偏离。

再者，近年来从使像素开口率提高的目的出发，人们一直在进行将形成于元件基板及对向基板上的遮光膜宽度例如从以往的2.5～3微米左右缩窄为1.5微米左右的研究。

因而，存在下述之类的问题，即若相对于元件基板、对向基板位置偏离进行了粘合，也就是说因粘合而产生了例如±0.5～0.7微米左右的由粘贴导致的位置偏离误差，则由于对向基板的矩阵状遮光膜向显示区域中的光透射区域超出，因而在每个液晶装置中像素的开口率不一致。另外，虽然对于某一像素来说能确保开口率、但是在某个像素中开口率大幅下降等，存在在像素间像素开口率不一致之类的问题。

发明内容

本发明是着眼于上述情况而做出的，其目的为提供具有下述结构的电光装置及电子设备，该结构为，即使在粘合过程中，对于一方的基板产生了另一方的基板的位置偏离，也可以利用另一方的基板上的遮光膜，使显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过对一方的基板的晶体管可靠进行遮光来抑制显示不佳。

为了达到上述目的，本发明所涉及的电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为，在上述一对基板的一方的基板上扫描线和数据线形成为按矩阵状交叉，并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域内设置晶体管的半导体层；在上述一对基板的另一方的基板上设置岛状的遮光膜，该遮光膜对上述晶体管进行遮光并且和上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。