[发明专利]包括与选择线连接的跨接线的快闪存储器设备

权利要求书

1.一种NAND快闪阵列，包括：

耦合到第一选择线的第一选择晶体管；

耦合到第二选择线的第二选择晶体管；

用于耦合到字线并且串联在第一和第二选择晶体管之间的存储单元；和

与第一选择线电连接的跨接线。

2.如权利要求1所述的NAND快闪阵列，进一步包含包括位线的跨接区域。

3.如权利要求2所述的NAND快闪阵列，其中将该跨接线经过在该跨接区域中的位线上形成的触点焊盘与该第一选择线电连接。

4.如权利要求3所述的NAND快闪阵列，其中将除用于该触点焊盘的位线分段之外的位线分段加偏压以阻止浮动电压状态。

5.如权利要求4所述的NAND快闪阵列，其中除用于该触点焊盘的位线分段之外的位线分段被电连接到金属线，该金属线向该存储单元所处的袋形P-阱提供阱偏压。

6.如权利要求1所述的NAND快闪阵列，其中该跨接线由导电材料形成并且比第一选择线宽。

7.如权利要求1所述的NAND快闪阵列，其中该第一选择线是串选择线以及该第二选择线是接地选择线。

8.如权利要求1所述的NAND快闪阵列，其中第一跨接线由包括金属的材料的金属线形成。

9.一种NAND快闪阵列，包括：

耦合到第一选择线的第一选择晶体管；

耦合到第二选择线的第二选择晶体管；

用于耦合到字线并且串联在第一和第二选择晶体管之间的存储单元；

与第一选择线电连接的第一跨接线；和

与第二选择线电连接的第二跨接线。

10.如权利要求9所述的NAND快闪阵列，其中该第一选择线是串选择线以及该第二选择线是接地选择线。

11.如权利要求9所述的NAND快闪阵列，进一步包含包括位线的跨接域。

12.如权利要求11所述的NAND快闪阵列，其中将该第一和第二跨接线经过由包括在该跨接区域中的位线形成的触点焊盘与该第一和第二选择线电连接。

13.如权利要求11所述的NAND快闪阵列，其中将除用于该触点焊盘的位线分段之外的位线分段加偏压以阻止浮动电压状态。

14.如权利要求13所述的NAND快闪阵列，其中除用于该触点焊盘的位线分段之外的位线分段被电连接到金属线，该金属线向该存储单元所处的袋形P-阱提供阱偏压。

15.一种NAND快闪阵列，包括：

包括存储单元的单元区域；

被布置在单元区域中的包括位线的跨接区域；

在单元区域中排列的串选择线；

在单元区域中排列的接地选择线；

在该串和接地选择线之间排列的字线；和

经过由在该跨接区域中的位线形成的第一触点焊盘与该串选择线电连接的第一跨接线。

16.如权利要求15所述的NAND快闪阵列，进一步包括经过由在该跨接区域中排列的位线形成的第二触点焊盘与该接地选择线电连接的第二跨接线。

17.如权利要求16所述的NAND快闪阵列，其中将除用于该第一和第二触点焊盘的位线分段之外的位线分段加偏压以阻止浮动电压状态。

18.如权利要求17所述的NAND快闪阵列，其中除用于该第一和第二触点焊盘的位线分段之外的位线分段被电连接到金属线，该金属线向该存储单元所处的袋形P-阱提供阱偏压。

19.如权利要求15所述的NAND快闪阵列，进一步包括：

公共源极线；和

经过由包括在该跨接区域中的位线形成的第一触点焊盘与该公共源极线电连接的第二跨接线。

20.一种NAND快闪阵列，包括：

多个存储块；

其中每个存储块包含多个串，每个串被连接至第一位线，

其中每个串包含：

被连接到串选择线的串选择晶体管；

被连接到接地选择线和公共源极线的接地选择晶体管；

用于耦合到字线并且串联在该串和接地选择晶体管之间的存储单元；和

与该串选择线电连接的第一跨接线。