[发明专利]使用无机氧化物磨料提高铜的平面化的组合物和方法无效
申请号: | 200710141292.0 | 申请日: | 2007-08-06 |
公开(公告)号: | CN101121865A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | T·M·托马斯 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C09G1/16;H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 无机 氧化物 磨料 提高 平面化 组合 方法 | ||
1.一种可以在小于20.68千帕的向下压力之下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物,所述水性组合物包含0.1-15重量%的氧化剂、0.001-5重量%的用于有色金属的抑制剂、0.001-10重量%的用于有色金属的络合剂、0.01-5重量%的羧酸聚合物、0.01-5重量%的改性纤维素、0.001-10重量%的含磷化合物、以及0.001-10重量%的勃姆石磨料,所述勃姆石加快了铜的平面化速率。
2.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述组合物包含0.02-1重量%的勃姆石。
3.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述勃姆石的粒度为20-150纳米。
4.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述含磷化合物选自:磷酸盐、焦磷酸盐、多磷酸盐、膦酸盐,以及它们以下形式的化合物:它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
5.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述含磷化合物选自:磷酸锌、焦磷酸锌、多磷酸锌、膦酸锌、磷酸铵、焦磷酸铵、多磷酸铵、膦酸铵、磷酸氢二铵、焦磷酸二铵、多磷酸二铵、膦酸二铵、磷酸胍、焦磷酸胍、多磷酸胍、膦酸胍、磷酸铁、焦磷酸铁、多磷酸铁、膦酸铁、磷酸铈、焦磷酸铈、多磷酸铈、膦酸铈、磷酸乙二胺、磷酸哌嗪、焦磷酸哌嗪、膦酸哌嗪、磷酸三聚氰胺、磷酸二(三聚氰胺)、焦磷酸三聚氰胺、多磷酸三聚氰胺、膦酸三聚氰胺、磷酸蜜白胺、焦磷酸蜜白胺、多磷酸蜜白胺、膦酸蜜白胺、磷酸蜜勒胺、焦磷酸蜜勒胺、多磷酸蜜勒胺、膦酸蜜勒胺、磷酸二氰二酰胺、磷酸脲,以及它们的酸、盐、混合酸盐、酯、偏酯、混合酯以及它们的混合物。
6.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述羧酸聚合物包含聚(甲基)丙烯酸的混合物,所述混合物包含数均分子量为1000-100000的第一聚合物,以及数均分子量为150000-1500000的至少一种第二聚合物,所述第一聚合物和第二聚合物的重量百分比比率为10∶1至1∶10。
7.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述改性纤维素是羧甲基纤维素。
8.一种可以用来抛光半导体晶片上的铜的水性组合物,该组合物包含0.1-15重量%的氧化剂、0.001-5重量%的用于有色金属的抑制剂、0.001-10重量%的用于有色金属的络合剂、0.01-5重量%的羧酸聚合物、0.01-5重量%的改性纤维素、0.001-10重量%的含磷化合物以及0.02-1重量%的勃姆石磨料,所述勃姆石增大了铜的平面化速率。
9.一种用来从半导体晶片上抛光除去铜的方法,该方法包括:
使所述晶片与抛光组合物相接触,所述晶片包含铜,所述抛光组合物包含0.1-15重量%的氧化剂、0.001-5重量%的用于有色金属的抑制剂、0.001-10重量%的用于有色金属的络合剂、0.01-5重量%的羧酸聚合物、0.01-5重量%的改性纤维素、0.001-10重量%的含磷化合物以及0.001-10重量%的勃姆石磨料;
使用抛光垫以小于20.68千帕的向下压力对晶片施压;
使用所述抛光垫抛光所述晶片,所述勃姆石加快了铜的平面化速率。
10.如权利要求1所述的组合物,其特征在于,所述组合物包含0.02-1重量%的勃姆石。
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