[发明专利]磁晶体管结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体管，特别是涉及一种磁晶体管的结构。

背景技术

巨磁阻效应(GMR)为一种量子力学效应，此种巨磁阻效应可见于具有交替的磁薄膜区与非磁薄膜区的结构中。根据所施加的外场，巨磁阻效应表现出从零场(Zero-field)高电阻状态到高场(High-field)低电阻状态之间的电阻有相当大的变化。

图1为公知技术的传统磁晶体管100的结构示意图。导电区106位于第二扇区104上，且第一扇区102位于导电区106上。第一金属108邻接且完全覆盖住第一扇区102、导电区106以及第二扇区104的堆栈结构的一侧。第二金属110邻接且完全覆盖住第一扇区102、导电区106以及第二扇区104的堆栈结构的另一侧。

传统的二端点磁晶体管100的操作的说明如下。举例而言，磁晶体管100的操作取决于外加的场，例如利用第三金属112与第四金属114来控制第一扇区102与第二扇区104的双极的方向。启动传统的二端点磁晶体管100时，电流产生并朝第一金属108与第二金属100的方向流动。电流可避免流过任何磁界，例如第一扇区102与导电区106之间的边界、导电区106与第二扇区104之间的边界或上述这二个边界，且仅有一小部分的电流真的流过这二个边界，而导致仅有相当小的电阻变化，意谓着造成较小的巨磁效应。此外，传统的二端点磁晶体管100仅具有二个输出端，电流可仅从第一金属108或第二金属110输出。

有鉴于上述原因，需要一种磁晶体管，拥有较大的巨磁效应且具有多重端点的输出能力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁晶体管结构，来解决上述公知技术中存在的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种磁晶体管，包括一第一扇区、一第二扇区、一导电区、一第一金属端点以及一第二金属端点。导电区位于第一扇区与第二扇区之间，且与第一扇区及第二扇区直接接触。第一金属端点位于第一扇区相对于导电区的表面的一端上。第二金属端点位于第二扇区相对于导电区的一表面的一端上，且第二金属端点与第一金属端点大约呈对角关系。启动磁晶体管时，一电流经由导电区而流过第一扇区与第二扇区。

根据本发明的另一实施例，提出一种磁晶体管，包括一第一扇区、一第二扇区、一导电区、一第一金属端点、一第二金属端点、一第三金属端点以及一第四金属端点。导电区位于第一扇区与第二扇区之间，且与第一扇区及第二扇区直接接触。第一扇区、导电区与第二扇区具有几乎相等的长度。第一金属端点位于第一扇区相对于导电区的一表面的一端上。第二金属端点位于第二扇区相对于导电区的一表面的一端上，且第二金属端点与第一金属端点大约呈对角关系。第三金属端点位于第一扇区相对于导电区的表面的另一端上。第四金属端点位于第二扇区相对于导电区的表面的另一端上，且第四金属端点与第三金属端点大约呈对角关系。启动磁晶体管时，一电流经由导电区而流过第一扇区与第二扇区，且从第一金属端点、第二金属端点、第三金属端点或第四金属端点输出。

由上述可知，本发明磁晶体管结构拥有较大的巨磁效应且具有多重端点的输出能力。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为公知技术的磁晶体管的结构示意图；

图2A为依照本发明一较佳实施例的一种磁晶体管的结构示意图；：

图2B为依照本发明另一较佳实施例的一种磁晶体管的结构示意图；以及

图3为依照本发明又一较佳实施例的一种磁晶体管的结构示意图。

其中，附图标记：

100：磁晶体管        102：第一扇区

104：第二扇区        106：导电区

108：第一金属        110：第二金属

112：第三金属        114：第四金属

200：磁晶体管        202：第一扇区

204：第二扇区        206：导电区

208：第一金属端点    210：第二金属端点

212：第三金属端点    214：第四金属端点

230：第一金属        240：第二金属

300：磁晶体管

具体实施方式

以下将详细说明本发明的较佳实施例，其中较佳实施例的范例的描述配合所附图式。无论在什么情况下，图式与说明中所使用的相同符号意指相同或相似构件。