[发明专利]用于强光和弱光条件的CMOS图像传感器阵列优化

权利要求书

1、一种设备，包括：

成像阵列，所述阵列至少包括具有第一电荷存储容量的第一类型像素和具有第二电荷存储容量的第二类型像素。

2、如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一电荷存储容量和所述第二电荷存储容量的比至少为1∶1.0625。

3、如权利要求1所述的设备，所述阵列还包括：

多个组合装置，每个组合装置将至少一些相邻的第一类型和第二类型像素耦合以形成像素对，所述组合装置能够使来自像素对的两个像素的光电流存储在所述像素对的任一像素上。

4、如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述成像阵列包括行和列，每行包括交替的第一类型和第二类型像素，以及每列包括交替的第一类型和第二类型像素。

5、如权利要求1所述的设备，还包括：

耦合到所述成像阵列的处理逻辑，其中对于给定的第一类型像素，所述处理逻辑至少能取得在至少一些相邻的第二类型像素上存储的曝光值并且能在那些曝光值中内插以确定所述第一类型像素的修正的曝光值。

6、如权利要求5所述的设备，其特征在于，对于给定的第二类型像素，如果所述第二类型像素的曝光值低于预定阈值，则所述处理逻辑还能在两个或两个以上相邻的第一类型像素的曝光值中内插，以确定所述第二类型像素的修正的曝光值。

7、如权利要求1所述的设备，还包括：

具有第三电荷存储容量的第三类型像素。

8、一种方法，包括：

从成像阵列的像素中取得曝光值，所述阵列至少包括具有第一电荷存储容量的第一类型像素和具有第二电荷存储容量的第二类型像素；以及

通过在至少一些相邻的第二类型像素的曝光值中内插来确定所述第一类型像素的修正的曝光值。

9、如权利要求8所述的方法，还包括：

评估所述第二类型像素的曝光值的量值；以及

如果所述第二类型像素的曝光值的量值不超过预定阈值，则用修正的曝光值替换所述第二类型像素的曝光值，其中所述修正的曝光值是通过在与所述第二类型像素相邻的两个或两个以上第一类型像素的曝光值上内插取得的。

10、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一电荷存储容量和所述第二电荷存储容量的比至少为1∶1.0625。

11、一种方法，包括：

使成像阵列的像素能被充电，所述阵列至少包括具有第一电荷存储元件的第一类型像素和具有第二电荷存储元件的第二类型像素，每个第一类型像素和每个第二类型像素具有光电流源，所述第一和第二电荷存储元件具有不同的电荷存储容量；以及

利用光电流对所述成像阵列的像素充电。

12、如权利要求11所述的方法，还包括：

将所述第一类型像素和所述第二类型像素组合形成像素对；

其中对像素充电包括：

选择性地使所述像素对的光电流源对所述像素对的所述第一电荷存储元件或所述第二电荷存储元件充电。

13、如权利要求11所述的方法，还包括：

取得所述第一类型像素或第二类型像素的曝光值。

14、如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一电荷存储元件和所述第二电荷存储元件的电荷存储容量的比至少为1∶1.0625。

15、一种系统，包括：

成像阵列，所述阵列至少包括具有第一电荷存储容量的第一类型像素和具有第二电荷存储容量的第二类型像素；

耦合到所述成像阵列的控制器，所述控制器向所述成像阵列提供控制信号；以及

通过输入/输出(I/O)接口耦合到所述控制器的天线。

16、如权利要求15所述的系统，其特征在于，控制器包括处理逻辑，其中对于给定的第一类型像素，所述处理逻辑至少能取得在至少一些相邻的第二类型像素上存储的曝光值并且能在那些曝光值中内插以确定所述第一类型像素的修正的曝光值。

17、如权利要求16所述的系统，其特征在于，对于给定的第二类型像素，如果所述第二类型像素的曝光值低于预定阈值，则所述处理逻辑还能在两个或两个以上相邻的第一类型像素的曝光值中内插，以确定所述第二类型像素的修正的曝光值。