[发明专利]测试片上端接电路通断状态的半导体存储器件及测试方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2006年3月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2006-0025678号的优先权，其内容在此被整体并入以作为参考。

技术领域

本发明涉及一种具有片上端接(ODT)电路的半导体存储器件，更具体地，涉及一种能够在数据读取模式中测试片上端接(ODT)电路的接通/关断状态的半导体存储器件及方法。

背景技术

在进行信号交换的系统中，通常使用端接总线的端接电阻器(terminationresistor)来提供阻抗匹配。所述端接电阻器通过抑制信号反射来提高所接收的信号的完整性。

端接电阻器可以位于半导体存储器件的外部或内部。位于半导体存储器件内部的端接电阻器称为片上端接(On-Die Termination，ODT)电阻器。同样，包含并控制ODT电阻器的电路称为ODT电路。

图1是具有ODT电路130的常规半导体存储器件100的方框图。参见图1，该常规半导体存储器件100包括ODT电路130、ODT焊盘180和输入/输出(I/O)焊盘190。

ODT电路130包括第一ODT电阻器R1和第二ODT电阻器R2以及第一开关S1和第二开关S2。当第一开关S1导通(即闭合)时，第一ODT电阻器R1连接到ODT电压源VDDQ。当第二开关S2导通时，第二ODT电阻器R2连接到接地电压源VSSQ。所述第一开关S1和第二开关S2响应于经由ODT焊盘180接收的外部控制信号而导通/关断。

当ODT电路130接通时，如果从常规半导体存储器件100读取数据，则读取数据的准确性得不到保证。因此，当执行数据读取操作时，ODT电路130必须关断。同样，为判断读取数据的准确性，在数据读取操作过程中判断ODT电路130是否关断非常重要。

然而，常规半导体存储器件100只能在没有执行数据读取操作时，识别第一ODT电阻器R1和第二ODT电阻器R2的阻值。相应地，常规半导体存储器件100在数据读取操作过程中不能判断ODT电路130是接通还是关断。

发明内容

本发明提供一种在数据读取模式中能测试片上端接(ODT)电路是接通还是关断的半导体存储器件。

本发明还提供一种在数据读取模式中能测试片上端接(ODT)电路是接通还是关断的方法。

根据本发明的一方面，提供一种具有多个存储单元的半导体存储器件，包括：包含至少一个ODT电阻器的片上端接(ODT)电路；以及在存储单元输出存储单元数据的数据读取模式中，响应ODT控制信号输出ODT状态信息信号的ODT状态信息输出单元，该ODT状态信息信号用于指示ODT电路是接通还是关断。

在一实施例中，当输出存储器单元数据时，在输出存储单元数据的时间段之前或之后输出ODT状态信息信号。当数据读取模式是突发读取模式时，ODT状态信息输出单元在突发操作中，能在读取存储单元数据中的第一存储单元数据之前以及读取最后一个存储单元数据之后输出ODT状态信息信号。

在一实施例中，通过输出存储单元数据的数据输入/输出焊盘输出ODT状态信息信号。

在一实施例中，当指示输出ODT状态信息的ODT检测使能信号以及ODT控制信号被激活时，ODT状态信息输出单元输出ODT状态信息信号。存储器件可以进一步包括响应MRS命令以输出ODT检测使能信号的模式寄存器组(MRS)。

在一实施例中，ODT电路响应ODT控制信号来接通或关断。ODT电路可以响应与ODT控制信号同步的ODT使能信号以及响应ODT使能信号的反相ODT使能信号来接通或关断。ODT电路可以包括：电连接到数据输入/输出焊盘的第一和第二ODT电阻器；响应反相ODT使能信号，将第一ODT电阻器电连接到预定ODT电压源的第一开关；响应ODT使能信号，将第二ODT电阻器电连接到接地电压源的第二开关。与指示输出ODT状态信息的ODT检测使能信号以及OTD控制信号被激活时的时间段同步，ODT状态信息输出单元可以输出具有与ODT状态信息信号相同逻辑状态的反相ODT使能信号。ODT状态信息输出单元可以包括：对ODT检测使能信号和ODT检测信号执行与非操作并输出操作结果的与非门；以及当与非门的输出被激活时，在一时间段内输出作为ODT状态信息信号的反相ODT使能信号的传输门。