[发明专利]测试片上端接电路通断状态的半导体存储器件及测试方法

权利要求书

1、一种具有多个存储单元的半导体存储器件，包括：

片上端接ODT电路，其包括至少一个ODT电阻器；以及

ODT状态信息输出单元，其在存储单元数据从存储单元输出的数据读取模式中，响应于ODT控制信号而输出指示所述ODT电路是接通还是关断的ODT状态信息信号。

2、如权利要求1的半导体存储器件，其中，在输出所述存储单元数据的时间段之前或之后输出所述ODT状态信息信号。

3、如权利要求2的半导体存储器件，其中，当数据读取模式为突发读取模式时，在突发操作中，在读取存储单元数据中的第一存储单元数据之前以及读取最后一个存储单元数据之后，所述ODT状态信息输出单元输出ODT状态信息信号。

4、如权利要求1的半导体存储器件，其中，通过输出存储单元数据的数据输入/输出焊盘输出ODT状态信息信号。

5、如权利要求1的半导体存储器件，其中，当指示输出ODT状态信息的ODT检测使能信号和ODT控制信号被激活时，所述ODT状态信息输出单元输出ODT状态信息信号。

6、如权利要求5的半导体存储器件，进一步包括响应于模式寄存器组(MRS)命令而输出ODT检测使能信号的模式寄存器组(MRS)输出单元。

7、如权利要求1的半导体存储器件，其中，响应ODT控制信号来接通或关断所述ODT电路。

8、如权利要求7的半导体存储器件，其中，响应于与ODT控制信号同步的ODT使能信号以及响应ODT使能信号的反相ODT使能信号，而接通或关断所述ODT电路。

9、如权利要求8的半导体存储器件，其中所述ODT电路包括：

电连接到数据输入/输出焊盘的第一ODT电阻器和第二ODT电阻器；

响应于反相ODT使能信号而将第一ODT电阻器电连接到预定ODT电压源的第一开关；以及

响应于ODT使能信号而将第二ODT电阻器电连接到接地电压源的第二开关。

10、如权利要求9的半导体存储器件，其中，与指示输出ODT状态信息的ODT检测使能信号及ODT控制信号被激活的时间段同步，ODT状态信息输出单元输出具有与ODT状态信息信号相同的逻辑状态的反相ODT使能信号。

11、如权利要求10的半导体存储器件，其中，所述ODT状态信息输出单元包括：

对ODT检测使能信号和ODT检测信号执行与非操作并输出操作结果的与非门；以及

在与非门的输出被激活的时间段内，将反相ODT使能信号作为ODT状态信息信号输出的传输门。

12、如权利要求1的半导体存储器件，进一步包括当ODT控制信号被激活或无效时输出ODT检测信号的等待时间控制器，

其中，ODT状态信息输出单元响应ODT检测信号来输出ODT状态信息信号。

13、如权利要求12的半导体存储器件，其中，ODT检测信号是与ODT控制信号被激活或无效的时刻同步生成的自动脉冲。

14、如权利要求1的半导体存储器件，进一步包括输出存储单元数据及ODT状态信息信号的数据输出缓冲器。

15、一种测试半导体存储器件的片上端接ODT电路的状态的方法，该半导体存储器件包括：具有至少一个ODT电阻器的ODT电路；和多个存储单元，该方法包括：

响应于ODT控制信号而关断所述ODT电路；以及

在存储单元数据从存储单元输出的数据读取模式中，响应ODT控制信号来输出指示ODT电路是否关断的ODT状态信息信号。

16、如权利要求15的方法，其中，输出ODT状态信息信号包括，在输出存储单元数据的时间段之前和之后，输出ODT状态信息信号。

17、如权利要求16的方法，其中，当数据读取模式为突发读取模式时，输出ODT状态信息信号包括；在突发操作中，在从存储单元数据读取第一存储单元数据之前以及读取最后一个存储单元数据之后，输出ODT状态信息信号。

18、如权利要求15的方法，其中，通过输出存储单元数据的数据输入/输出焊盘输出ODT状态信息信号。