[发明专利]单晶与多晶硅线切割用砂浆回收技术

权利要求书

1.一种单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，即将废砂浆还原成PEG液体与SiC粉末固体，其特征在于：

废砂浆原液→一次膜过滤→PEG液体；即通过一次膜过滤分离技术，使得废砂浆固液分离一次完成，得到合格的PEG回收液，并保持其物理性质不变；然后对上述固液分离后的滤渣进行以下工艺流程：

清洗处理→粉末干燥→粉末分级→SiC粉末；

所述一次膜过滤为：将砂浆均匀搅拌；同时将砂浆加热至35～85℃，打入微孔过滤机进行固液分离，期间加压0.1～3.0kg/cm²；由于过滤膜起到了过滤作用，使得过滤膜的外壁沾满滤渣，一段时间后，滤渣积累到1～5cm厚时，由于重力的作用，滤渣会从过滤膜的外壁脱落；此时停止进料，开启微孔过滤机底部的排渣孔，将滤渣排出微孔过滤机，待后续工艺处理；

所述清洗处理依次包括水洗处理、碱洗处理和酸洗处理。

2.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：在固液分离中，由于压力的作用，砂浆透过微孔过滤机中的过滤膜，排出澄清淡黄色液体PEG，将其装罐。

3.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：水洗处理，将上述微孔过滤机排出的滤渣送入水洗池，用1∶2～1∶4的清水浸泡，同时对水洗池中的SiC水溶液进行充分搅拌30～50分钟；用泵将水洗池中的SiC水溶液打入压滤机，进行固液分离，滤渣送入碱洗池，废水排到沉淀池。

4.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：碱洗处理，滤渣送入碱洗池，滤渣量与水溶液量的比为1∶2～1∶4，水溶液中含有0.5～5％重量比的NaOH，进行充分浸泡、搅拌，除去滤渣中含有的Si颗粒，期间产生大量气体，溶液温度自动升高至40～80℃，在26℃室温条件下，反应时间为60～240分钟；用泵将碱洗池中的溶液打入压滤机，进行固液分离；滤渣送入水洗池，在水洗池中用1∶2～1∶4的清水浸泡上述滤渣，搅拌30分钟，用压滤机进行固液分离，重复水洗两次使滤渣PH值为7左右，最后一次水洗的滤渣送入酸洗池。

5.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：酸洗处理，滤渣送入酸洗池，针对滤渣量，用1∶2～1∶4的1～5％重量比的盐酸水溶液浸泡，充分搅拌，除去滤渣中含有Fe的颗粒，期间产生少量气体，在26℃室温下，反应时间60分钟；用泵将酸洗池中的溶液打入压滤机，进行固液分离，废液排到沉淀池，滤渣送入水洗池，重复水洗三次使滤渣PH值为7左右，此时滤渣中的固体是含98％以上的SiC物料。

6.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：粉末干燥，将SiC物料送入外热式回转炉，经加热、干燥、冷却工序，得到干燥的SiC粉末。

7.根据权利要求书1所述的单晶与多晶硅线切割用砂浆回收方法，其特征是：粉末分级，将上述干燥的SiC粉末送入负压自分流式微粉分级机，在分级机离心力和负压风机抽力的作用下实现粗细粉末分离，收集合格粉末，排出更细SiC粉末留作他用，即可实现零排放。