[发明专利]片状多孔结构的ZnO纳米粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710114004.2 申请日: 2007-10-31
公开(公告)号: CN101177296A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 占金华;景志红 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C01G9/02 分类号: C01G9/02;B82B3/00
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 代理人: 许德山
地址: 250100山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 片状 多孔 结构 zno 纳米 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种无机纳米材料的制备方法,特别是一种片状多孔结构的ZnO纳米粉体的制备方法。

背景技术

纳米氧化锌(ZnO)是一种典型的宽带隙半导体材料,拥有3.37eV大带隙60meV大激子结合能,在压电、光电、铁磁、传感器和透明电极等领域具有广泛的应用,已成为目前世界范围的研究热点之一。由于纳米ZnO这些独特的性质强烈地依赖于他们的形貌和尺寸,因此不同形貌结构的纳米ZnO的合成引起了广大研究工作者的极大兴趣。据文献报道,已通过水热法、溶胶-凝胶法、模板法、化学沉淀法、热分解法、微波法分别制备出纳米颗粒、纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带和其他形貌的ZnO。

目前,尽管ZnO纳米粉体的合成已经实现了批量生产,但多孔ZnO纳米粉体的合成仍是一个技术难点。

多孔材料由于具有均匀分布的微孔或孔洞,孔隙率高、体积密度小,还具有高的比表面积及其独特的物理表面特性,并且不同的多孔性能够改变材料的物理和化学性质,因此多孔结构材料成为生物工程、环境工程、催化剂和传感器领域中一种具有发展前景的功能材料。

一维多孔结构的纳米ZnO的合成已有文献报道。Z.L.Wang等人(Adv.Mater.,2004,16:1215-1218)在表面涂附一层锡膜的硅片上,采用固体-蒸气方法,合成了表面覆盖一层Zn2SiO4的中孔ZnO纳米线。S.H.Lee等(Phys.Stat.Sol.,2007,4:1747-1750)首先在有铟锡氧化物涂附的玻璃上合成出ZnO纳米棒,然后在氩气中400℃焙烧1h,再经HCl腐蚀5-10s后,最终得到多孔的ZnO纳米棒。由于这些制备方法复杂,成本高,产率低,难以实现产品的工业化大生产。因此,如何实现多孔ZnO纳米粉体的工业化生产成为我们迫切需要解决的问题。

到目前为止,二维多孔结构的纳米ZnO的合成还未见文献报道。

发明内容

本发明针对工业化生产多孔ZnO纳米粉体的技术难题,提供了一种工艺简单、成本低的片状多孔结构的ZnO纳米粉体的制备方法,可以制备出高纯度的片状多孔结构的ZnO纳米粉体。

片状多孔结构的ZnO纳米粉体的制备方法,步骤如下:

(1)将二水合醋酸锌原料溶于水中,配制0.1M~0.5M的醋酸锌溶液,磁力搅拌下,滴加0.1M~0.6M尿素溶液,醋酸锌溶液与尿素溶液的体积比为1∶1~1.5,得混合液。

(2)将步骤(1)得到的混合液置于微波炉内,于500~900W的功率下反应30~60min,反应温度为60~95℃,得混浊溶液。

(3)将步骤(2)得到的混浊溶液进行过滤、洗涤、干燥,得到碱式碳酸锌前驱物。

(4)将步骤(3)得到的碱式碳酸锌前驱物在400~600℃焙烧1.5~3h,得到多孔ZnO纳米粉体。

整个反应过程的化学反应式可表示如下:

CO(NH2)2+H2O→2NH3+CO2

2Zn(CH3COO)2+4NH3+3H2O+CO2→ZnCO3·Zn(OH)2↓+4CH3COONH4

ZnCO3·Zn(OH)2→2ZnO+CO2+H2O

在本发明所述不同的浓度和反应温度及功率条件下,均能得到六方相的片状多孔ZnO纳米粉体,且结晶度高,产品质量好。

本发明方法制备的纳米ZnO产品为白色粉体,属于六方晶系,比表面积大(100~400m2/g),纯度高,产品质量好。

本发明制备的片状结构的多孔ZnO纳米粉体不但有利于开拓ZnO本身独特的性能和应用,而且有助于其他新的纳米结构器件的开发和应用。例如,利用ZnO纳米粉体稳定的多孔结构,作为气敏传感器和太阳能电池电极材料等。

本发明具有以下突出优点:

1.所制得的ZnO纳米粉体具有全新的片状多孔结构,孔洞分布均匀。

2所制得片状多孔结构的ZnO纳米粉体纯度高,不含有其他形貌的ZnO。

3.所制得片状结构的多孔ZnO纳米粉体性能稳定,在空气中不易变性。

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