[发明专利]防护薄膜组件无效
申请号: | 200710110347.1 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101089729A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 滨田裕一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;B29C41/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元;赵仁临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防护 薄膜 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种光蚀刻用防护薄膜组件,其在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板时,作为光蚀刻用掩模的防尘器使用。
背景技术
在LSI、超LSI等半导体或是液晶显示板等产品的制造中,是用光照射半导体晶圆或液晶用原板以制作形成图案,惟若此时所使用的曝光原板(光蚀刻用掩模)有灰尘附着的话,由于该灰尘会吸收光,使光弯曲,故除了会使转印的图案变形、使边缘变粗糙以外,还会使基底污黑,并损坏尺寸、品质、外观等。
因此,该等作业通常在无尘室中进行,惟即使在该无尘室内亦难以经常保持曝光原板清洁,遂采取在曝光原板表面上贴附对曝光用光线透光性良好的防护薄膜组件作为防尘器之用的方法。此时,因灰尘未直接附着于曝光原板表面上而是附着于防护薄膜上,故只要在光蚀刻时将焦点对准曝光原板的图案上,防护薄膜上的灰尘就不会影响转印。
防护薄膜组件的基本构造如下:使用对曝光用光线具备良好透光性的硝化纤维素、醋酸纤维素、氟系聚合物等物质构成透明防护薄膜,使用实施过黑色氧皮铝处理的JIS A7075、A6061、A5052等规格的铝合金、不锈钢、聚乙烯等材质构成防护薄膜组件框(框架),在框架上部涂布防护薄膜的良溶剂,将防护薄膜风干粘接于框架上部(参照专利文献1),或是用丙烯酸树脂、环氧树脂或氟树脂等粘接剂粘接(参照专利文献2以及3),接着,为了在防护薄膜组件框下部装设曝光原板,而使用聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂以及硅树脂等物质构成粘接层,以及以保护粘接层为目的的初缩屏蔽粘接剂保护用垫片。
防护薄膜组件以包围掩模基板表面上所形成之图案范围的方式设置。由于防护薄膜组件是用来防止掩模基板上附着灰尘而设置的对象,故能将该图案范围与防护薄膜组件外部隔离,使防护薄膜组件外部的尘埃不会附着于图案面上。
近年,LSI的布局规则向0.25微米以下微细化进展,随之曝光光源也向短波长化进展,亦即,逐渐从原为主流的水银灯的g线(436nm)、i线(365nm),变成使用KeF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2激光(157nm)等激光。曝光光线像这样朝短波长化发展,当然曝光光线所持能量也会变高。比起习知波长的光线而言,使用高能量光线更可能使曝光环境中所存在的气体状物质反应而在掩模基板上产生反应产生物。于是,遂采取尽量减少无尘室内的气体状物质,彻底洗净初缩屏蔽,以及从防护薄膜组件构成物质中排除会发散气体的物质等的对策。特别是防护薄膜组件,由于其是直接贴附于掩模基板上使用的对象,故我们遂要求防护薄膜组件的构成材料,亦即由有机材料所构成的初缩屏蔽粘接剂、膜层粘接剂、内壁涂布剂等物质的发散气体特性降低,因而情况有所改善。然而,掩模基板上所发生的所谓“雾霭(haze)”的雾状异物,即使初缩屏蔽的洗净程度或防护薄膜组件构成材料的发散气体特性降低程度再怎么进展,也无法完全防止其发生,而成为半导体制造成品率降低的原因。
[专利文献1]特开昭58-219023号公报
[专利文献2]美国专利第4861402号说明书
[专利文献3]特公昭63-27707号公报
发明内容
发明所欲解决的问题
为解决上述问题,本发明提供一种防护薄膜组件,其能减少水溶性离子、减少气体释放,且抑制硫酸铵等雾霭发生。
解决问题的方法
为解决相关问题,本发明人不断致力检讨努力,结果发现作为防护薄膜框架使用的铝合金,其表面的阳极氧化包覆膜中若含有硫酸、硝酸、有机酸等物质,该等物质在曝光环境下会从框架表面的阳极氧化包覆膜中脱离释出,并滞留于防护薄膜组件与掩模的密闭空间内,当该等物质照射到曝光时的短波长紫外线时,便会产生例如硫酸铵等的硫氧化合物。
于是,本发明人发现在铝合金框架表面上形成聚合物包覆膜能有效解决问题。另发现该聚合物包覆膜宜以电沉积形成为佳,而以热固化型树脂的阴离子电沉积来形成更好。通过该等方法,便能制作出一种防护薄膜组件,其能减少习知阳极氧化包覆膜中所含有之硫酸、硝酸、有机酸等酸类的释出,且即使在短波长紫外光的曝光环境下雾霭发生率也很低。
亦即,本发明的上述问题,可用以下的手段(1)解决之。较佳实施方式(2)~(10)一并列载。
(1)一种防护薄膜组件,其特征为包含:表面上有聚合物包覆膜的铝合金制防护薄膜框架,以及张设于该框架上的防护薄膜。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备