[发明专利]防护薄膜组件无效
| 申请号： | 200710110347.1 | 申请日： | 2007-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101089729A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 滨田裕一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;B29C41/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 组件 | ||
1.一种防护薄膜组件，其包含：
铝合金制造的防护薄膜框架，其表面上具有聚合物包覆膜，以及
防护薄膜，其拉设于该防护薄膜框架上。
2.权利要求1所述的防护薄膜组件，其中，该聚合物包覆膜为电沉积涂布膜。
3.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，聚合物包覆膜为热固化型树脂的阴离子电沉积涂布膜。
4.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，聚合物包覆膜为黑色消光电沉积涂布膜，且其发射率为0.80～0.99。
5.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，在25℃的纯水中浸渍168小时后，从防护薄膜框架中释放出的硫酸离子溶出量以防护薄膜框架的重量计为1.0ppm以下。
6.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，在25℃的纯水中浸渍168小时后，从防护薄膜框架中释放出的有机酸离子溶出量以防护薄膜框架的重量计为1.0ppm以下。
7.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，在25℃的纯水中浸渍168小时后，从防护薄膜框架中释放出的硝酸离子溶出量以防护薄膜框架的重量计为0.5ppm以下。
8.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，在130℃下加热10分钟后，从防护薄膜框架中释放出的有机类释放气体的产生量以防护薄膜框架的重量计为10.0ppm以下。
9.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，聚合物包覆膜的厚度为3～30μm。
10.权利要求1或2所述的防护薄膜组件，其中，上述铝合金为JISA7075材料、JIS A6061材料或JIS A5052材料。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
