[发明专利]具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物无效

专利信息
申请号: 200710109894.8 申请日: 2007-06-05
公开(公告)号: CN101085902A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: B·L·穆勒 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02;H01L21/304
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 改进 终点 检测 能力 用来 二氧化硅 氮化 进行 化学 机械抛光 组合
【权利要求书】:

1.一种用来对半导体基板上的二氧化硅和氮化硅进行抛光的组合物的制备方法,该方法包括:

提供存在于水溶液中的羧酸聚合物;

使所述水溶液与离子交换树脂接触,从而从所述水溶液中除去可溶性阳离子和氨,提供存在于水溶液中的进行过离子交换的羧酸聚合物,所述水溶液的阳离子浓度为10ppb至2ppm;

将0.01-5重量%的进行过离子交换的羧酸聚合物与0.001-1重量%的季铵化合物、0.001-1重量%的邻苯二甲酸及其盐、0.01-5重量%的磨料和余量的水混合。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述季铵化合物选自:氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四异丙基铵、氢氧化四环丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化四异丁基铵、氢氧化四叔丁基铵、氢氧化四仲丁基铵、氢氧化四环丁基铵、氢氧化四戊基铵、氢氧化四环戊基铵、氢氧化四己基铵、氢氧化四环己基铵、以及它们的混合物。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述邻苯二甲酸或邻苯二甲酸盐是邻苯二甲酸氢钾。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磨料是二氧化铈。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述二氧化铈的平均粒度为50-200纳米。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述二氧化铈的平均粒度为80-150纳米。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述水溶液的阳离子浓度为100ppb至200ppb。

8.一种对半导体基板上的二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的方法,该方法包括:

提供抛光垫;

提供浆液,所述浆液通过以下方式制得:

提供存在于水溶液中的羧酸聚合物;

使所述水溶液与离子交换树脂接触,从而从所述水溶液中除去可溶性阳离子和氨,提供存在于水溶液中的进行过离子交换的羧酸聚合物,所述水溶液的阳离子浓度为10ppb至2ppm;

将0.01-5重量%的进行过离子交换的羧酸聚合物与0.001-1重量%的季铵化合物、0.001-1重量%的邻苯二甲酸及其盐、0.01-5重量%的磨料和余量的水混合;

使用所述抛光垫和所述浆液抛光所述半导体基板。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:通过监控浆液中的氨的含量来化学检测抛光终点并停止抛光。

10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述浆液的pH值为4-7。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司,未经罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710109894.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top