[发明专利]可提供逆向电流与突波电流保护的充电装置

权利要求书

1.一种可提供逆向电流与突波电流保护的充电装置，包含有：

一接收端，用来接收一充电电压；

一充电电池；以及

一动态保护单元，耦接于该接收端与该充电电池之间，用来根据一控制 信号及该接收端与该充电电压间的连结状况，控制该接收端至该充电电池的 连结，

其中，该动态保护单元当该接收端与该充电电压的连结移除时，根据该 控制信号的一第一电平及该充电电池的电压，切断该接收端与该充电电池间 的电流路径，以及当该接收端接上该充电电压时，根据该控制信号的一第二 电平及该充电电压，导通该接收端与该充电电池间的电流路径，

其中，该动态保护单元包含有：

一电流产生单元，耦接于该接收端及该充电电池之间，用来产生一充电 电流及对应的电流路径；

一切换单元，用来当该接收端与该充电电压的连结移除时，输出该充电 电池的电压，以及当该接收端接上该充电电压时，输出该充电电压；以及

一控制单元，通过一第一端及一第二端耦接于该电流产生单元的偏压端， 及一第三端耦接于该切换单元，用来根据该控制信号的电平及该切换单元所 输出的电压，控制该电流产生单元的该偏压端的连结。

2.如权利要求1所述的充电装置，其中，该电流产生单元是一电流镜。

3.如权利要求2所述的充电装置，其中，该电流产生单元包含有：

一第一P型金属氧化物半导体导体晶体管，其源极耦接于该接收端，漏 极耦接于一参考电流源，以栅极耦接于该参考电流源及该控制单元的该第一 端；以及

一第二P型金属氧化物半导体导体晶体管，其源极耦接于该接收端，漏 极耦接于该充电电池，以栅极耦接至该控制单元的该第二端。

4.如权利要求3所述的充电装置，其中，该第二P型金属氧化物半导体 导体晶体管的栅极耦接于该切换单元，用来根据该切换单元输出的电压，提 供该栅极一反向偏压。

5.如权利要求1所述的充电装置，其中，该切换单元包含有：

一第一输入端，耦接于该接收端，用来接收该充电电压；

一第二输入端，耦接于该充电电池，用来接收该充电电池的电压；

一输出端；

一第一P型金属氧化物半导体导体晶体管，包含有一源极耦接于该第一 输入端，一漏极耦接于该输出端，以及一栅极耦接于该第二输入端；以及

一第二P型金属氧化物半导体导体晶体管，包含有一源极耦接于该第二 输入端，一漏极耦接于该输出端，以及一栅极耦接于该第一输入端。

6.如权利要求1所述的充电装置，其中，该控制单元包含有：

一第一P型金属氧化物半导体导体晶体管包含有一源极耦接于该控制单 元的该第三端，一漏极耦接于该控制单元的该第二端，及一栅极耦接于该控 制信号，用来根据该控制信号的电平及该第三端的电压，控制该第一P型金 属氧化物半导体导体晶体管的电性连结；

一第二P型金属氧化物半导体导体晶体管包含有一源极耦接于该控制单 元的该第三端，一漏极耦接于一节点，及一栅极耦接于该控制信号，用来根 据该控制信号的电平及该第三端的电压，控制该第二P型金属氧化物半导体 导体晶体管的电性连结；

一第一N型金属氧化物半导体导体晶体管包含有一源极耦接于一地端， 一漏极耦接于该节点，一栅极耦接于该控制信号，用来根据该控制信号的电 平，控制该第一N型金属氧化物半导体导体晶体管的电性连结；以及

一第三P型金属氧化物半导体导体晶体管包含有一源极耦接于该控制单 元的该第一端，一漏极耦接于该控制单元的该第二端，一栅极耦接于该节点， 用来根据该节点及该第控制单元的该第二端的电压，控制该第三P型金属氧 化物半导体导体晶体管的电性连结。

7.如权利要求1所述的充电装置，其中，该控制信号由一控制信号输出 单元产生，该控制信号输出单元当该充电电压移除时，输出一第一电平的该 控制信号，及当接上该充电电压时，在一预设时间后，输出一第二电平的该 控制信号。

8.如权利要求7所述的充电装置，其中，该控制信号输出单元可以一固 件实现。