[发明专利]用于切割的压敏粘合剂片材有效
申请号: | 200710108212.1 | 申请日: | 2007-06-04 |
公开(公告)号: | CN101081967A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 山本昌司 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/02 | 分类号: | C09J7/02;H01L21/00;H01L21/78;H01L21/301 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郇春艳;郭国清 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 切割 粘合剂 | ||
发明领域
本发明涉及用于切割的压敏粘合剂片材,使用前述片材处理加工 材料的方法,和通过使用该方法可获得的加工材料片。根据本发明的 用于切割的压敏粘合剂片材可以非常适合用作用于切割的压敏粘合剂 片材,例如硅半导体、化合物半导体、半导体封装或玻璃。
发明背景
通常,由硅、镓、砷等制备的半导体晶片被制备成具有大的直径, 切割和分离(切割)成小元件片,然后安装进行安装工艺。这时,其中在 将用于切割的压敏粘合剂片材(在下文中,称为″压敏粘合剂片材″)附着 在半导体晶片上的状态下,使半导体晶片进行各步骤,例如切割步骤、 清洗步骤、延展步骤、收集步骤(pickup step)和安装步骤。通常将以下 的压敏粘合剂片材用作所述的压敏粘合剂片材:其中将丙烯基粘合剂 等施加到由塑料薄膜形成的基体材料上,以形成具有厚度为1至200 μm的压敏粘合剂层。
在切割步骤中,通过圆形刀刃移动并同时旋转来切割半导体晶片 以形成半导体晶片。在这一步骤中,主要使用利用所谓的全切式(full cut) 的切割方法,其中将切割刀刃插入到固定半导体晶片的压敏粘合剂片 材的基体材料内部。
在使用全切式的切割方法中,加工材料全部在压敏粘合剂片材上 切割和分离。因此,在常规压敏粘合剂片材中,当粘合剂的粘合强度 太小时,切割片可能是分散的。相反,当粘合强度太大时,其难于收 集切割片。因此,要求压敏粘合剂片材具有适度的粘合强度。从这一 点来看,通常使用包含聚(甲基)丙烯酸酯作为主要成分的粘合剂,其具 有宽的可控制范围的粘合特征,且其可容易地制备。
在随后的延展步骤中,要求压敏粘合剂片材具有优良的延展性。 因此,广泛使用其中聚氯乙烯薄膜被用作基体材料的具有优良延展性 的压敏粘合剂片材。然而,在使用聚氯乙烯作为基体材料和使用聚(甲 基)丙烯酸酯作为压敏粘合剂层的压敏粘合剂片材中,存在如下现象: 包含在基体材料中的组分例如添加剂转移至压敏粘合剂层,因此,在 其储存期间,粘合强度受到破坏。结果,存在在切割期间碎片散射和 可加工性和产率明显降低的问题。
为了解决上述问题,已经公开了一种用于切割的压敏粘合剂片材, 其中将由各种聚合材料制成的屏障层设置在基体材料和压敏粘合剂层 之间(例如,参见专利文件1至5)。在该压敏粘合剂片材中使用的屏障 层设置在由聚氯乙烯薄膜形成的基体材料和压敏粘合剂层之间,且具 有防止聚氯乙烯薄膜中的各种添加剂转移到压敏粘合剂层的作用。
然而,取决于屏障层的种类,尽管有可能防止作为一类添加剂的 增塑剂的转移,但是在某些情况下,其不可能足够地影响其它的添加 剂。而且,在某些情况下,尽管所述屏障层具有作为屏障层的足够的 功能,但是由于屏障层导致压敏粘合剂片材的挠性受到损害,从而抵 消了由使用聚氯乙烯薄膜作为基体材料具备的优点。而且,也存在这 样的问题:需要在形成压敏粘合剂层之前预先在基体材料上形成屏障 层,因此,形成步骤的加入增加了生产成本。
专利文献1:JP-B-1-56111
专利文献2:JP-A-4-192542
专利文献3:JP-A-6-134941
专利文献4:JP-A-8-112304
专利文献5:JP-A-2002-235055
发明简述
通过本发明解决了上述的问题。本发明的一个目的是提供用于切 割的压敏粘合剂片材,其通过防止各种包含在含有聚氯乙烯作为主要 组分的基体材料中的添加剂被转移至压敏粘合剂层,从而增强粘合强 度的长期储存稳定性,并可在延展过程中显示出优良的挠性;使用所 述片材处理加工材料的方法;和通过所述方法可获得的加工材料片。
附图说明
图1为说明根据本发明一个实施方案的用于切割的压敏粘合剂片 材(在下文中,称为压敏粘合剂片材)的剖视示意图。
参考数字和符号的说明:
10:压敏粘合剂片材
11:基膜(基体)
12:压敏粘合剂层
13:隔离物
发明详述
本发明的发明人对用于切割的压敏粘合剂片材、使用所述片材处 理加工材料的方法和通过该方法可获得的加工材料片进行了深入研 究。结果,本发明人发现将特定添加剂包含在聚氯乙烯中可影响用于 切割的压敏粘合剂片材的粘合强度的长期储存稳定性,从而完成了本 发明。
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