[发明专利]描图系统

说明书

技术领域

本发明系有关于一种以作为原图形的光罩(crux)或直接地对印刷基板及硅晶圆等的被描图体形成电路图案等的图案的描图装置。特别是，有关于一种使用将DMD(Digital Micro-mirror Device)、LCD等光调变组件规则性地排列的光调变单元而进行描图处理的描图系统及方法、曝光参数计算装置及方法、基板制造法。

背景技术

在基板等的被描图体的制程中，对于涂布着光阻等的感旋光性材料的被描图体进行形成图案的描图处理，经过显像处理、蚀刻或电镀处理及光阻的剥离等的制程，在被描图体上形成图案。在使用配列着LCD、DMD、SLM(Spatial Light Modulators)等光调变组件的光调变单元的描图系统中，光调变单元的照射区域(以下称曝光范围)相对于基板以既定的速度扫瞄之同时，对应于被描绘的图案以既定的时序控制各光调变组件。

由于不受光调变组件尺寸的影响而形成微细的图案，各光调变组件的照射区域(微小区域)沿着扫瞄方向彼此重叠并同时进行曝光动作(参照专利文献1)。对于基板的相对性的扫瞄速度、使微小区域重叠的曝光动作周期(时间间隔)、在一次的曝光动作期间中实际上连续照射的照射时间等，在描图处理中设定必要的参数，根据DMD等的光调变组件被设定的参数而进行控制，形成描图的图案。

[专利文献1]日本特开2003-084444号公报

关于上述曝光参数，必须考虑并设定光阻的感光材料特性、描图装置所包括的雷射等的光源单元、光学系的特性、甚至描图图案的精密度等。不仅是图案形成处理而且要掌握显像处理、蚀刻、光阻剥离等回路基板的制程全部而监视制造过程，藉由进行控制的操作员，参照详细的描图处理条件并设定适当的曝光参数是困难的。

发明内容

本发明的描图系统为在进行重叠曝光动作的描图系统中，不需要具有know how的知识而可设定曝光参数，根据自动设定的曝光参数而可进行描图处理的描图系统及方法、曝光参数计算装置及方法、基板制造法。

本发明的描图系统，根据扫瞄而连续控制依次进入的光调变组件ON/OFF，移动照射区域而进行使曝光重叠的描图处理，使用沿着复数个光调变组件规则性的扫瞄方向上配置排列的光调变单元，由光调变单元的曝光范围对于被描图体以相对性的既定速度做扫瞄，由各光调变组件使曝光范围域重叠而随着曝光动作时间间隔实施曝光动作。例如DMD等的光调变单元做数组状的二维配列而使基板等做相对性的移动，藉此使从光源放射的光束区域做相对性的扫瞄，曝光动作时间间隔系表示使用光调变组件而投射光线的动作(曝光动作)的周期。为了实施多重曝光，虽然随着扫瞄(曝光范围的相对性移动)光调变组件依次向既定的范围照射，此时又对准该区域地将位置移向同一位置，即重叠地控制曝光动作。

本发明的描图系统使用将复数个光调变组件沿着扫瞄方向规则性地排列而成的光调变单元，由上述光调变单元的曝光范围对于被描图体以一定速度相对性的做扫瞄，以某曝光动作时间间隔实施曝光动作使各光调变组件的曝光范围域重叠，该描图系统的特征在于，该描图系统包括：计算装置，其根据相对于上述被描图体的曝光范围的相对性的扫瞄速度、表示以上述扫瞄速度在上述曝光动作时间间隔内上述曝光范围移动的距离的曝光动作间距、作为在照射光实际上对上述被描图体照射的期间上述曝光范围移动的距离的发光延续距离中预设的任一参数，从上述曝光动作间距、上述扫瞄速度、上述发光延续距离之间的关系式除去上述一参数而计算出剩下的二个参数；以及曝光参数设定装置，其将预设及上述计算装置所算出的扫瞄速度、曝光动作时间间隔、发光延续距离作为描图处理的曝光参数而设定，其中上述计算装置满足两条件式解出而计算出上述剩下的二个参数，两条件式包括一第1式及一第2式，第1式系表示根据描图系统的光源及曝光用光学系的特性而决定的到达被描图体的到达照射光量系满足对应于上述被描图体的感光材料特性而决定的曝光量的条件式，相对于上述扫瞄速度，上述发光延续距离成正比，而上述曝光动作间距成反比，第2式系表示关于描图处理的数据处理速度的限制而规定的条件式，相对于上述扫瞄速度，上述曝光动作间距成正比的关系，其中，上述第1式和上述第2式系以下的方程式表示：

V＝((PO)×α×Ld)/(EP×C×E)  ....(1)

V＝(EP/tp)  ....(2)