[发明专利]废水处理系统及其方法无效

专利信息
申请号: 200710103991.6 申请日: 2007-05-17
公开(公告)号: CN101306886A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 黄政忠;宋坤森;林志鸿 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: C02F9/04 分类号: C02F9/04;C02F7/00;C02F1/74;C02F1/52;C02F1/66;C02F103/16;C02F101/10;C02F101/16
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 封新琴;巫肖南
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 废水处理 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种废水处理方法,适用于化学机械研磨废水,该化学机械研磨废水含有过氧化氢与铵根离子,该方法包括:

在该化学机械研磨废水中加入碱性溶液,以调控该化学机械研磨废水的pH值;

在该化学机械研磨废水中加入助凝剂;以及

进行曝气步骤,以除去过氧化氢与铵根离子。

2.如权利要求1所述的废水处理方法,其中在进行该曝气步骤之后,进一步包括进行沉降步骤,以形成上层澄清废液以及污泥。

3.如权利要求1所述的废水处理方法,其中在加入该碱性溶液之前进一步包括在该化学机械研磨废水中加入废水。

4.如权利要求3所述的废水处理方法,其中该废水包括晶背研磨废水或活性碳逆洗废水。

5.如权利要求3所述的废水处理方法,其中该废水包括含氟废水。

6.如权利要求5所述的废水处理方法,其中在进行该沉降步骤之后,进一步包括利用树脂床对该上层澄清废液进行离子交换反应。

7.如权利要求1所述的废水处理方法,其中加入该碱性溶液之后,该化学机械研磨废水的pH值介于8.0至9.0之间。

8.如权利要求7所述的废水处理方法,其中该碱性溶液包括氢氧化钠。

9.如权利要求1所述的废水处理方法,其中该助凝剂包括阳性助凝剂或阴性助凝剂。

10.如权利要求9所述的废水处理方法,其中该阳性助凝剂的成分包括强阳性有机低分子聚合物。

11.如权利要求9所述的废水处理方法,其中该阴性助凝剂的成分包括阴性聚丙烯酰胺聚合物。

12.如权利要求1所述的废水处理方法,其中该化学机械研磨废水中颗粒的粒径介于20nm至1μm之间。

13.一种废水处理方法,包括:

提供第一废水,该第一废水包括粒径小于1μm的颗粒;

在该第一废水中加入碱性溶液,以调控该第一废水的pH值;

进行第一混凝反应;

进行第一曝气步骤;

进行第二混凝反应;以及

进行第二曝气步骤。

14.如权利要求13所述的废水处理方法,其中在进行该第二曝气步骤之后进一步包括进行沉降步骤。

15.如权利要求13所述的废水处理方法,其中在加入该碱性溶液之前进一步包括在该第一废水中加入第二废水。

16.如权利要求15所述的废水处理方法,其中该第二废水包括晶背研磨废水或活性碳逆洗废水。

17.如权利要求13所述的废水处理方法,其中加入该碱性溶液之后,该第一废水的pH值介于8.0至9.0之间。

18.如权利要求13所述的废水处理方法,其中该第一混凝反应包括在该第一废水中加入阳性助凝剂。

19.如权利要求13所述的废水处理方法,其中该第二混凝反应包括在该第一废水中加入阴性助凝剂。

20.如权利要求13所述的废水处理方法,其中该第一废水包括化学机械研磨废水。

21.一种废水处理系统,包括:

废水供给装置,以提供废水,该废水包括化学机械研磨废水;

废水中和槽,连接该废水供给装置,以调控该废水的pH值;

第一混凝槽,连接该废水中和槽;以及

第一曝气槽,连接该第一混凝槽。

22.如权利要求21所述的废水处理系统,进一步包括第二混凝槽以及第二曝气槽,其中该第二混凝槽连接该第一曝气槽,该第二曝气槽连接该第二混凝槽。

23.如权利要求21所述的废水处理系统,进一步包括分离处理装置,该分离处理装置连接该第二曝气槽,以将该废水中的上层澄清废液及污泥分离。

24.如权利要求21所述的废水处理方法,其中该废水中和槽调控该废水的pH值介于8.0至9.0之间。

25.如权利要求21所述的废水处理系统,其中该废水包括晶背研磨废水或活性碳逆洗废水。

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