[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，该蚀刻组合物的特征在于，其含有：

50重量％～80重量％的a)磷酸、

2重量％～15重量％的b)硝酸、

3重量％～20重量％的c)乙酸、

0.05重量％～3重量％的d)锂类化合物、

0.1重量％～5重量％的e)磷酸盐类化合物、以及

余量的f)水。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，其特征在于，所述薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物是TFTLCD中的栅极配线材料Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜的蚀刻组合物。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，其特征在于，所述薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物是TFTLCD中的源极/漏极配线材料Mo单一膜的蚀刻组合物。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，其特征在于，所述d)锂类化合物为选自由LiNO₃、CH₃COOLi、C₄H₅O₃Li、LiCl、LiF、LiI、C₂HLiO₄、LiClO₄、Li₂O₂、Li₂SO₄、LiH₂PO₄和Li₃PO₄组成的组中的1种以上的物质。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，其特征在于，所述e)磷酸盐类化合物为选自由NaH₂PO₄、Na₂HPO₄、Na₃PO₄、NH₄H₂PO₄、(NH₄)₂HPO₄、(NH₄)₃PO₄、KH₂PO₄、K₂HPO₄、K₃PO₄、Ca(H₂PO₄)₂、Ca₂HPO₄和Ca₃PO₄组成的组中的1种以上的物质。

6.一种薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法，该制造方法的特征在于，其包括利用权利要求1～5任意一项所述的蚀刻组合物进行蚀刻的工序。