[发明专利]用于液晶显示器的取向层有效
| 申请号： | 200710096095.1 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101055378A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 卢淳俊;全栢均;朴庆玉;李熙根;白弘九;金京粲;金钟福;黄昞嘏;玄东賰;安汉镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;延世大学教产学协力团 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 液晶显示器 取向 | ||
1.一种用于液晶显示器的取向层，包括氧化硅SiOx层，其中x值大于1.5并小于2.0，氧化硅层沿基本垂直的方向排列氧化硅层上的液晶，其中氧化硅层具有均方根等于或小于3nm的表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的取向层，其中氧化硅层具有基本平坦的表面。
3.根据权利要求2所述的取向层，其中x值具有从1.65至1.75的范围。
4.根据权利要求1所述的取向层，其中氧化硅层具有1.0至1.8的折射率。
5.根据权利要求4所述的取向层，其中液晶具有从-3.9至-1.0的介电各向异性。
6.根据权利要求1所述的取向层，其中x值大于1.65。
7.根据权利要求1所述的取向层，其中氧化硅层具有50至300nm的厚度。
8.根据权利要求7所述的取向层，其中氧化硅层具有90至110nm的厚度。
9.一种形成用于液晶基板的取向层的方法，包括：
在基板上形成氧化硅SiOx层，其中x值大于1.5并小于2.0，并且氧化硅层沿基本垂直的方向排列氧化硅层上的液晶，其中氧化硅层具有均方根等于或小于3nm的表面粗糙度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中形成氧化硅层包括沿基本垂直于基板的方向沉积氧化硅。
11.根据权利要求9所述的方法，其中形成氧化硅层包括借助化学气相沉积来沉积氧化硅。
12.根据权利要求9所述的方法，其中形成氧化硅层包括借助蒸镀沉积来沉积氧化硅。
13.根据权利要求12所述的方法，其中从位于从基板中心延伸的虚线上的供给源沿基本垂直于基板的方向供给用于形成氧化硅层的工艺材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其中工艺材料包括一氧化硅或二氧化硅的粉末。
15.一种液晶显示器，包括：
彼此相对的两个基板；
排列在两个基板之间的液晶；和
分别形成在两个基板上的液晶，
其中取向层包括氧化硅SiOx层，其中x值大于1.5并小于2.0，并且氧化硅层允许液晶沿基本垂直于两个基板的方向排列，其中氧化硅层具有均方根等于或小于3nm的表面粗糙度。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中氧化硅层具有基本平坦的表面。
17.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中氧化硅层具有1.0至1.8的折射率。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中液晶具有从-3.9至-1.0的介电各向异性。
19.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中x值大于1.65。
20.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中氧化硅层具有50至300nm的厚度。
21.根据权利要求20所述的液晶显示器，其中氧化硅层具有90至110nm的厚度。
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