[发明专利]监控闪存擦写性能的方法有效
| 申请号: | 200710094056.8 | 申请日: | 2007-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN101377958A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
| 发明(设计)人: | 张会锐;曹刚 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾继光 |
| 地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 监控 闪存 擦写 性能 方法 | ||
1.一种监控闪存擦写性能的方法,其特征在于,采用缩紧规格的方法进行擦写性能测试,包括如下步骤:
(1)在擦写性能测试程序中设立一个较严的规格,使其大于实际使用规格;
(2)对每个测试对象记录在步骤(1)设立的规格下擦写1次时失效的擦写次数和重复擦写2次仍失效时的擦写次数;
(3)计算每个测试对象在步骤(2)中两个记录的擦写次数的比值,对该比值进行数据处理,用该比值来监控擦写性能;所述的对该比值进行数据处理具体为:对该比值做对数正态的分布,并比较该对数正态的分布与基准晶片的分布,比较分布的均值和斜率。
2.如权利要求1所述的监控闪存擦写性能的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述设立的较严的规格为存储单元电流下降到初始值的75%。
3.如权利要求1所述的监控闪存擦写性能的方法,其特征在于,所述的比较该对数正态的分布与基准晶片的分布主要通过如下步骤:首先,得到基准晶片的对数正态的分布,提取两个分布参数均值和斜率,作为以后监控的参考值,根据该分布,确定均值的分布范围和斜率的分布范围;然后,得到监控晶片的对数正态的分布,看其均值和斜率是否在上述基准晶片确定的均值和斜率分布范围内,如果是,则符合基准标准,如果否,则需要继续分析是否符合基准标准。
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