[发明专利]发光二极管电路组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管电路，特别是涉及一种可防止被瞬间电流烧毁的发光二极管电路组件。

背景技术

参考图1，为一般发光二极管的保护回路。

参考图2，为一般齐纳二极管的工作曲线图。

参考图1与图2，一般用以保护发光二极管(LED)的方式，通常利用一颗齐纳二极管(Zener Diode)并联于此发光二极管(LED)。借此，当此发光二极管的应用电路(图中未示)，产生逆向电压V_R或是逆向电流I_R时，或是一般电路产生静电(ESD)时，此齐纳二极管随即导通，进而达到保护发光二极管的目的。

虽然此齐纳二极管可以保护此发光二极管，但是，当顺向电压Vf大于齐纳二极管的崩溃电压Vz时，齐纳二极管立刻崩溃，电流仅可流经此已崩溃的齐纳二极管；虽然发光二极管仍然完好，但已无法再有电流导通，因此，此线路形同失效。此外，当顺向电压Vf大于发光二极管之膝点电压Vk，且小于齐纳二极管的崩溃电压Vz时，则发光二极管导通，发光二极管维持正常工作。

然而，一般齐纳二极管的崩溃电压Vz为5V(伏特)以上，对于一般工作电压在3V至4V的蓝、绿光发光二极管，原则上没有什么问题。但是，对于工作电压在1.8V至2.6V，发射波长在570纳米(nm)的黄绿光至660纳米(nm)的红光发光二极管而言，当顺向电压Vf大于齐纳二极管的崩溃电压Vz时，齐纳二极管已崩溃，虽然发光二极管仍然完好，但已无法再有电流导通，此线路形同失效。

此外，顺向电压Vf虽小于齐纳二极管的崩溃电压Vz，但对于工作电压在1.8V至2.6V的发光二极管而言，其产生电流仍可高达该发光二极管额定电流的数倍之多，发光二极管仍可能瞬间烧毁。

参考图3，为一般发光二极管运用于共阴极电路的电路图。

一种发光二极管模块100，在并联共阴极的应用上，包含有一红光发光二极管(R)110、一绿光发光二极管(G)120与一蓝光发光二极管(B)130。此发光二极管模块100也可使用于共阳极电路，图中未示。

该红光发光二极管(R)110，具有一正极111与一负极112。此红光发光二极管(R)110其发射波长在590纳米(nm)至640纳米(nm)红光之间。

该绿光发光二极管(G)120，具有一正极121与一负极122。该负极122电连接于该红光发光二极管(R)110的负极112。此绿光发光二极管(G)120其发射波长于500纳米(nm)至550纳米(nm)绿光之间。

该蓝光发光二极管(B)130，具有一正极131与一负极132。该负极132电连接于该红光发光二极管(R)110的负极112，以及该绿光发光二极管(G)120的负极122。该绿光发光二极管(G)120其发射波长在400纳米(nm)至480纳米(nm)绿光之间。

该红光发光二极管(R)110的负极112、该绿光发光二极管(G)120的负极122与该蓝光发光二极管(B)130的负极132相互连接成一共极点140，借此，构成该发光二极管模块100的共点(common)。

在应用上，是将发光二极管模块100的共极点140连接至待驱动回路(电子产品的电源，图中未示)上，即可被驱动，进而发出光源。

所以，在R、G、B共阴极的应用上，必需在此发光二极管模块100以外的电路上(如驱动回路)增加负载(如电阻等)，以防止工作电压(Vf)较低的红光发光二极管(R)110，受瞬间电流影响而烧毁。

综上所述，在共阴极(共阳极)的应用上，一般发光二极管模块100在使用上，必需增设负载，才能使R、G、B三色的光源均匀一致，为业界惯用的技术。但是，针对需外接电路(增设负载)才能驱使发光二极管模块100正常运行此点，不但增加产品制造的不便性，而且，假如在制造上，不甚漏掉了要增设的负载，此发光二极管模块100在通电后，就会马上损毁，进而浪费制造材料与提高成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管电路组件，将齐纳二极管(ZenerDiode)串接于发光二极管(LED)，可提高发光二极管的工作电压(Vf)，避免被瞬间电流烧毁，同时应用于其它电路，可增加使用的方便性。

为了实现上述目的，本发明提供了一种发光二极管电路组件，包含一发光二极管(LED)与一齐纳二极管(Zener Diode)。

该发光二极管，其发射波长在570纳米(nm)黄绿光至660纳米(nm)红光之间。