[发明专利]离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统无效
| 申请号： | 200710068408.2 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101090228A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 翁大丰 | 申请（专利权）人： | 魏其萃 |
| 主分类号： | H02M3/06 | 分类号： | H02M3/06;H01L23/62 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 310012浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离线 集成电路 芯片 辅助 电压 及其 控制 检测 系统 | ||
1、离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：由集成电路芯片的开关电容辅助电压源、过压保护电路和低端功率开关的驱动所组成。
2、按权利要求1所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述集成电路芯片的开关电容辅助电压源是一个开关电容网络块，该开关电容网络块用于变换高压直流电压母线为一合适的低压直流输入电压和其受控于从开关电源来的反馈开关电压。
3、按权利要求2所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述电容网络块是一个无源电容网络，或是一个无源开关电容电路。
4、按权利要求2所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述从开关电源来的反馈电压由磁场耦合或电场耦合。
5、按权利要求4所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述磁场耦合通过变压器和耦合电感完成。
6、按权利要求4所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述电场耦合通过电容来耦合。
7、按权利要求1所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述过压保护电路是一个从浮动高端控制芯片到输出电压的监视器，其组成为：自动随着高端功率MOSFET导通或关断而关断或导通的承受高压小电流的器件，电压分压器和采样保持。
8、按权利要求1所述离线集成电路芯片的辅助电压源及其控制检测系统，其特征在于：所述低端功率开关驱动的组成是：低端驱动的耦合电路和低端MOSFET的驱动器以及承受高电压小电流的器件，以及当低端MOSFET导通时限制低端MOSFET门极电压的，当低端MOSFET关断时能使其门极到源极的电压低于阀电平的箝位电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于魏其萃，未经魏其萃许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710068408.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
