[发明专利]非晶铌金属氧化物薄膜及其热氧化蒸镀技术无效
| 申请号： | 200710066258.1 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101397648A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 周效锋 | 申请（专利权）人： | 曲靖师范学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/26 |
| 代理公司： | 云南省曲靖市专利事务所 | 代理人： | 许永昌 |
| 地址： | 655011云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶铌 金属 氧化物 薄膜 及其 氧化 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种非晶铌金属氧化物薄膜，其特征在于由过渡金属铌和氧结合形成的并由阵列的纳米棒或纳米锥结构组成非晶状态存在的氧化物薄膜。
2、根据权利要求1所述的一种非晶铌金属氧化物薄膜其特征在于得到的非晶铌氧化物薄膜，利用高分辨率扫描电子显微镜获得的膜层结构是阵列的、准直的直径在20～100nm的纳米棒或纳米锥组成，而这些纳米锥或纳米棒又是由10±5纳米直径的团簇组成。
3、一种非晶铌金属氧化物薄膜的热氧化蒸镀技术，其特征在于利用通电电阻发热原理直接使用铌片作为蒸发源的直接蒸发方法，设定在具有1.0～9.0Pa真空度的亚氧环境中。
4、根据权利要求3所述的一种非晶铌金属氧化物薄膜的热氧化蒸镀技术，其特征在于基片温控是采用自然蒸发加热方式，通过控制基片与源片的距离在1.5～2.5cm间，基片的温度控制在100～350℃温区，获得非晶结构铌金属氧化物纳米结构膜。
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