[发明专利]液晶面板阵列结构有效

专利信息
申请号: 200710065592.5 申请日: 2007-04-17
公开(公告)号: CN101290410A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 董学 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G09G3/36
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶面板 阵列 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种液晶面板阵列结构,属于液晶显示器件的面板阵列设计领域。 

背景技术

现有液晶面板中,为了提高视角宽度,通常采用一种边缘场开关(Fringe Field Switching,简称FFS)技术。FFS技术提供了一种广视角的液晶器件构造,它将像素的公共电极和像素电极都制作在阵列基板上,利用两者之间形成的边缘电场驱动液晶,具有视角宽、色偏小、功耗低等优点。另外,为了进一步提高显示性能,现有FFS技术中还可以采用单像素内多畴的设计方案。 

如图1、2所示,分别为基于FFS的单畴和双畴像素阵列结构示意图。液晶面板的整个显示区域由相同构造的像素组合而成。具体地,图中的斜线方向表示各像素电极倾斜方向,其中,每个像素均包括红、绿、蓝三个亚像素。图1中,像素10的红亚像素11、绿亚像素12和蓝亚像素13均为单畴像素,即每个亚像素的像素电极倾斜方向均相同。图2中,像素20的红亚像素21、绿亚像素22和蓝亚像素23均为双畴像素,即每个亚像素具有两种像素电极倾斜方向,在图2中,每个亚像素上半部分与下半部分采用了对称构造。 

现有技术的缺陷在于: 

图1中所示的单畴像素结构与图2所示的双畴像素结构相比,色偏大,视角效果差。具体实验数据如图3-6所示。分别为两种像素结构的色偏效果对比图和视角效果对比图。从图中可以看出,随着视角变化,单畴像素结构发生的色偏移更大,且视角在水平和垂直方向的效果相对较差。 

图2中所示的双畴像素结构色差效果、视角效果更好,但在像素电极上半部和下半部的交界区域,如图2中的黑色三角部分所示,由于像素电极倾斜方向是相反的,即在单个像素的开口区内存在着两个不同的液晶畴,使得像素电极的电场难以有效地驱动液晶面板,造成在该交界区域的液晶光学效率非常低,降低了整体液晶面板的光线透过率。并且当施加的电场很强时,双畴之间的边界区域还可能会扩散到正常显示区域,对显示效果产品了更大的影响。 

现有技术中,为了克服上述双畴像素结构光线透过率低的缺陷,通常采用的办法是提高背光源的功率。但是,这就意味着更高的成本要求和能耗,并且效果也不理想。 

发明内容

本发明要解决的问题是,现有FFS技术中,采用单畴像素结构的像素阵列色偏大,视角效果差,及采用双畴像素阵列结构的像素阵列光线透过率低的。 

为了解决上述问题,本发明的一个实施例是提供了一种液晶面板阵列结构,由多个阵列单元排列而成,每个所述阵列单元中包括个数相等的第一像素和第二像素两种像素;所述第一像素及第二像素中的所有亚像素各自具有单一的畴倾斜方向;所述第一像素中的亚像素的畴倾斜方向与第二像素中的相应亚像素的畴倾斜方向不同;其中,所述畴倾斜方向为像素电极倾斜方向,所述液晶面板阵列结构中相邻阵列单元中的同一种像素在水平方向及垂直方向上均不相邻,每个所述阵列单元中的像素个数为4n个,每个所述阵列单元中的所有像素按田字格形状平均分为四组,每组中具有多个像素,每组中像素种类相同,所述每个阵列单元中包括像素种类不同的组,其中,n为正整数;所述多个像素的每个像素中所有亚像素具有两种不同的畴倾斜方向;所述每个像素中具有三种亚像素,其中一种亚像素的畴倾斜方向与另两种亚像素的 畴倾斜方向不同。 

通过本发明,由于每个像素中的三种亚像素都各自具有单一的畴倾斜方向,因此不存在图2中的双畴像素结构中的交界区域,从而能实现更高的液晶光学效率及整体液晶面板的光线透过率。另外,由于每个阵列单元中包括有两种畴倾斜方向不同的像素,即第一像素和第二像素,因此与图1中所示的单纯的单畴像素结构相比,能够具有更好的色偏效果和视角效果。 

下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

附图说明

图1为现有技术中的单畴像素结构示意图; 

图2为现有技术中的双畴像素结构示意图 

图3为现有技术中的单畴像素结构的色偏效果对比图; 

图4为现有技术中的双畴像素结构的色偏效果对比图; 

图5为现有技术中的单畴像素结构的视角效果对比图; 

图6为现有技术中的双畴像素结构的视角效果对比图; 

图7为本发明实施例1所述的阵列单元结构示意图; 

图8为本发明实施例1所述的一种像素阵列结构示意图; 

图9为本发明实施例1所述的另一种像素阵列结构示意图; 

图10为本发明实施例1所述的再一种像素阵列结构示意图; 

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