[发明专利]硅片抛光表面划伤的控制方法无效

专利信息
申请号: 200710058749.1 申请日: 2007-08-15
公开(公告)号: CN101367189A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 仲跻和 申请(专利权)人: 江苏海迅实业集团股份有限公司
主分类号: B24B29/00 分类号: B24B29/00;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/04
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 胡婉明
地址: 226600江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅片 抛光 表面 划伤 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种硅片抛光表面划伤的控制方法,包括在将硅片粘贴在抛光机抛光盘上,然后将抛光盘固定在抛光机抛光头上,控制抛光机的压力和上下抛光盘的转速,以及向抛光盘及硅片间注入抛光液;其特征在于,所述抛光液包括磨料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水;所述抛光机的压力控制在50kPa以下,上抛光盘的转速控制在60rpm以下,下抛光盘的转速控制在60rpm以下。

2.根据权利要求1所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述抛光液中各种成分所占重量百分比是:磨料为5.0%至20.0%,渗透剂为3%至5%,润滑剂为0.5%至1.0%,PH调节剂为10%至20%,表面活性剂为0.1%至1.0%,螯合剂为1%至3%,去离子水为余量;在室温条件下,在去离子水中依次加入磨料、渗透剂、润滑剂、PH调节剂、表面活性剂和螯合剂,搅拌均匀,制成抛光液。

3.根据权利要求1或2所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述磨料是粒径为70至90纳米的二氧化硅(SiO2)、粒径为150至200纳米的三氧化二铝(Al2O3)、粒径为100-150纳米的二氧化铈(CeO2)、粒径为100至150纳米的二氧化钛(TiO2)或粒径为150至200纳米的碳化硼;所述渗透剂为聚氧乙烯醚(JFC)或磷酸酯;所述PH调节剂为无机碱或有机碱;所述螯合剂为乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二钠、羟胺和胺中的一种或它们的组合;所述润滑剂为甘油、二甲基硅油、乙烯基硅油中的一种或他们的组合;所述表面活性剂是非离子型表面活性剂。

4.根据权利要求3所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述羟胺是三乙醇胺、四羟基乙基乙二胺或六羟基丙基丙二胺;所述胺是乙二胺或四甲基氢氧化铵。

5.根据权利要求3所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述非离子型表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺或者是二者的混合物;所述脂肪醇聚氧乙烯醚是聚合度为15的壬基酚聚氧乙烯醚、聚合度为20的辛基酚聚氧乙烯醚、聚合度为25的辛基酚聚氧乙烯醚或者聚合度为40的辛基酚聚氧乙烯醚;所述烷基醇酰胺是月桂酰单乙醇胺、二羟乙基十三酰胺或十二烷基醇酰胺。

6.根据权利要求3所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述无机碱是氢氧化钾、氢氧化钠或氨水;所述有机碱是羟基乙二胺、苄胺、乙醇胺或四甲基氢氧化铵。

7.根据权利要求1所述的硅片抛光表面划伤的控制方法,其特征在于,所述抛光机的压力优选为25kPa以下,压力施加过程是由0压力匀速加至所需压力,并在稳定压力下进行抛光。

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