[发明专利]硅片研磨表面应力消减方法无效
| 申请号： | 200710057422.2 | 申请日： | 2007-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101310925A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 仲跻和;周云昌;高如山 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡婉明 |
| 地址： | 300385天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 研磨 表面 应力 消减 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅片研磨表面应力消减方法，包括将待研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上，向研磨盘和硅片间加注研磨液，启动研磨机，对研磨机施加压力，控制研磨机转速及硅片表面温度，对待研磨硅片表面进行研磨；其特征在于，所述研磨机压力控制在200g/cm2至400g/cm2；所述研磨机转速控制在60转/min至80转/min；所述研磨液流量控制在2L/min至5L/min；所述硅片表面温度控制在35至45℃。
2、根据权利要求1所述的硅片研磨表面应力消减方法，其特征在于，所述硅片表面温度控制是通过调整冷却水流量实现，该冷却水流量控制在0.5L/min至2L/min。
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