[发明专利]应用于图像传感器中的电容存储方式的列读出电路无效
| 申请号: | 200710056956.3 | 申请日: | 2007-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN101272446A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
| 发明(设计)人: | 李斌桥 | 申请(专利权)人: | 天津市晶奇微电子有限公司 |
| 主分类号: | H04N3/15 | 分类号: | H04N3/15;H04N5/335 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 300462天津市天津港保*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用于 图像传感器 中的 电容 存储 方式 读出 电路 | ||
1. 用于读出并进行电平标定像素输出的光感应信号和复位信号的列读出电路包括:
复位信号支路,其包括第一端子的用于存储复位信号的MOS电容器和第二端子的复位总线,第一端存储电容和像素之间,以及和第二端复位总线之间分别用开关连接,同时复位总线通过开关选择性的接地复位;以及
光电信号支路,其包括第一端子的用于存储光电信号的MOS电容器和第二端子的信号总线,第一端存储电容和像素之间,以及和第二端信号总线之间分别用开关连接,同时信号总线通过开关选择性的接地复位。
2. 权力要求1的读出电路,所述的像素单元是指三管有源像素结构,其包括复位管,缓冲管和选通管。
3. 权力要求1的读出电路,用于存储光电信号和复位信号的电容采用N管的MOS电容器,其中NMOS管具有低阈值电压,且光电信号和复位信号的电平值必须高于第一端子MOS电容器的阈值电压。
4. 权力要求1的读出电路,进一步包括在所述的第二端子和输出端子之间设置的输出缓冲器(buffer)。
5. 权力要求1的读出电路,所述的复位总线和信号总线是两条其长度和像素阵列宽度一致的金属线,且两条总线各种属性一致,且所处周围环境一致。
6. 权力要求1的读出电路,进一步包括用于接收来自复位信号支路和光电信号支路的输出信号的数字可编程增益放大器(DPGA)。
7. 从列读出电路读出像素的光电信号和复位信号的方法是:
将所述的光电信号和复位信号分别存储在第一端子的两个MOS电容器上;
然后对信号总线和复位总线进行接地复位;
完成复位,将存储光电信号和复位信号的MOS电容分别和信号总线和复位总线的电容连接,完成电荷的再分配,重新标定光电信号和复位信号的电平值;
通过两条信号支路的输出缓冲器输出到后续的DPGA的输入端。
8. 权力要求8的方法,其中要求MOS电容器工作在线性区,且光电信号和复位信号的电压高于MOS电容器的阈值。
9. 权力要求8的方法,信号总线的寄生电容和复位总线的寄生电容完全匹配且与第一端子的MOS电容有相同数量级。
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