[发明专利]倒丁字型侧栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200710054590.6 | 申请日: | 2007-06-19 |
公开(公告)号: | CN101075526A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/304;H01J1/46;H01J9/02;H01J9/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人: | 张欣棠;张国文 |
地址: | 451191河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丁字 型侧栅控 阴极 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种倒丁字型侧栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
场致发射平板显示器件是一种新型平板显示设备,适用于各种场所的屏幕显示器材,如指挥中心、家用电视机、会议室、演播室等的壁挂彩色电视机,大型户外和室内广告牌,车站、机场、码头的交通信息和股市信息等。碳纳米管阴极的场致发射显示器是利用碳纳米管的场致发射原理而研制的、结合了阴极射线管显示器的高图像质量特点的平面显示器件,具有高亮度、高分辨率、功耗低、视角宽、适用温区广特点,已经成为了国际平板显示领域的热门话题。
目前,在大多数的碳纳米管阴极场致发射显示器件当中,都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的结构模式,其优点很多,但也有难以克服的不利之处,如控制栅极电压居高不下,从而难以和常规的集成驱动电路相结合;栅极电流过于偏大,从而导致整体器件的显示亮度有所降低;碳纳米管阴极的制作难度很大,不能确保器件图像的显示均匀性;等等。虽然可以通过减小栅极结构和碳纳米管阴极结构之间的距离,使得能够在较低的栅极工作电压下就能够在碳纳米管阴极顶端形成足够大的电场强度,达到进一步降低栅极工作电压的目的,但是这同时也要受到绝缘材料的绝缘程度、制作工艺以及材料属性等因素的制约,否则很容易造成器件的电学击穿。因此,在实际器件的制作过程中,究竟采用何种控制栅极结构模式,采用何种制作材料,如何进一步降低栅极工作电压,等等问题,都需要认真地思考和研究。
此外,在三极结构的平板场致发射显示器件中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的倒丁字型侧栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上设置有栅极引线层、碳纳米管以及倒丁字型侧栅控阴极结构。
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