[发明专利]一种复制纳米压印模板的方法

权利要求书

1.一种复制纳米压印模板的方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)旋涂并前烘双层胶：

先在衬底上旋涂下层胶并进行前烘，下层胶为LOR胶，前烘温度为120℃-220℃，时间为13-20分钟；之后旋涂并前烘上层胶，上层胶为SU8胶，前烘温度为85-95℃，时间为8-15分钟；

(2)用原始模板进行纳米压印：

在压印前先在原始模板上覆盖一层抗粘层，接着在涂有双层胶的衬底上进行压印，压印采用普通压印，或者采用压印结合曝光的方法，记为CNP方法，压印温度为80℃-150℃；

(3)去除残余的SU8胶：

对于普通压印使用氧气反应离子刻蚀去刻除残余的SU8胶，对于CNP方法对SU8进行显影；

(4)利用SU8作为掩模对下层的胶进行选择性去除：

去除LOR使用的是CD26溶液，CD26的溶度可在40％-60％之间，显影时间为30s-200s；

(5)使用金属淀积工艺淀积金属层：

这一金属层是刻蚀衬底的掩模层，金属层的厚度为40-110nm，且不超过LOR厚度的三分之一；将样品放入1165 Remover中进行剥离，LOR会迅速溶于1165 Remover中，淀积在衬底上的金属层被保留，得到和原始模板一致的金属图形；

(6)以金属层为掩模刻蚀衬底：

以金属层做为衬底的刻蚀阻挡层，选择性的对下层衬底进行反应离子刻蚀，去除残余的金属后，即得到由原始模板复制出来的子模板。

2.根据权利要求1所述的复制纳米压印模板的方法，其特征在于在步骤(1)中，所述上层胶的厚度为100nm-200nm，所述下层胶厚度为15nm-350nm，且上层胶的厚度小于下层胶的厚度。

3.根据权利要求1所述的复制纳米压印模板的方法，其特征在于在步骤(2)中，所述的抗粘层材料为十八烷基三氯硅或三甲基一氯硅烷。

4.根据权利要求1所述的复制纳米压印模板的方法，其特征在于在步骤(5)中，所述的金属层材料为铬。

5.根据权利要求1所述的复制纳米压印模板的方法，其特征在于在步骤(1)中，所述衬底材料为硅、二氧化硅或玻璃。