[发明专利]一种合成有机－无机复合的氧化锗单晶纳米线的方法

权利要求书

1.一种有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)将氧化锗粉末与VIII族金属氧化物混合，研磨5-10分钟，得混合均匀的粉体；其中，氧化锗和VIII族金属氧化物的质量比为0.5∶1～10∶1；

(2)将混合物投入反应釜，随后注射有机胺和蒸馏水，拧紧反应釜并将其置于烘箱之中，反应温度150～250℃，反应时间1天～5天；其中，有机胺与水的体积比是0.1∶1～5∶1；混合物与有机胺固液质量比是0.02∶1～1.0∶1；

(3)将反应好的固体取出，离心分离，用乙醇清洗2-3次，在60～90℃烘干8～24小时，得到产物。

2.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于步骤(1)中VIII族金属氧化物为三氧化二铁、三氧化二钴或三氧化二镍。

3.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于步骤(2)中有机胺为乙二胺、1，6-己二胺、乙醇胺或正丁胺。

4.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于步骤(3)中离心分离的转速为7000-9000转每分钟，离心1-3分钟。

5.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于所述的氧化锗为六方晶相的α-氧化锗。

6.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于所述VIII族金属氧化物是三氧化二铁，氧化锗与三氧化二铁的质量比是2∶1-3∶1。

7.根据权利要求1所述的有机-无机复合的单晶氧化锗纳米线的合成方法，其特征在于所述的有机胺与水的体积比为0.5∶1-0.8∶1；混合物与有机胺的固液质量比为0.1∶1-0.5∶1。