[发明专利]光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 200710044341.9 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101354542A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/26;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
1、一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：
提供硫酸溶液；
向所述硫酸溶液中周期性注入双氧水，形成含有硫酸和双氧水的清洗液；
将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上，将该光刻胶去除。
2、如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括：在将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上之前，向清洗液中通入臭氧气体。
3、如权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：向清洗液中通入臭氧气体的步骤中，通入的方式为周期性的通入，且通入臭氧气体与注入双氧水交替进行。
4、如权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：向清洗液中通入臭氧气体的步骤中，通入的方式为连续性的通入。
5、如权利要求2所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括：在通入臭氧气体之后、每一次注入双氧水之前对所述清洗液进行加热。
6、如权利要求5所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述加热在密封空间中进行。
7、如权利要求1至6中任一权利要求所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括：
回收与光刻胶反应后的清洗液；
将回收的清洗液过滤后，作为硫酸溶液循环使用。
8、如权利要求7所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括，向过滤后的清洗液中周期性的注入硫酸。
9、如权利要求1至6中任一权利要求所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上的步骤中，清洗液的流量为800至2000ml/min。
10、如权利要求1至6中任一权利要求所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，完成将所述光刻胶去除的步骤后，用含有氢氧化氨和双氧水的混合水溶液清洗半导体衬底的表面，接着用去离子水清洗半导体衬底的表面。
11、一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：
提供硫酸溶液；
向所述硫酸溶液中通入臭氧气体并周期性注入双氧水，形成含有硫酸、臭氧气体和双氧水的清洗液；
将所述清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶上，将该光刻胶去除。
12、如权利要求11所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：向清洗液中通入臭氧气体的步骤中，通入的方式为周期性的通入，且通入臭氧气体与注入双氧水交替进行。
13、如权利要求11所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：向清洗液中通入臭氧气体的步骤中，通入的方式为连续性的通入。
14、如权利要求11所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括：
回收与光刻胶反应后的清洗液；
将回收的清洗液过滤后，作为硫酸溶液循环使用。
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