[发明专利]用于白光发光二极管的氧硫化物荧光粉及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200710043534.2 申请日: 2007-07-06
公开(公告)号: CN101081979A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 黄富强;夏玉娟;王文邓;邢精成 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C09K11/57 分类号: C09K11/57;H01L33/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 白光 发光二极管 硫化物 荧光粉 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种可用于白光LED(发光二极管)的氧硫化物荧光粉材料 及其制备方法。所述的材料为电光照明材料,属荧光材料领域。

背景技术

白光LED被称为第四代绿色照明光源,其较之传统白炽灯和荧光灯具 有许多优点:如固体化、体积小、寿命长、性能稳定、成本低、发光响应快 等[Y.D.Huh,J.Y.Park,S.S.Kweon,J.H.Kim,J.G.Kim,and Y.R.Do,Bull. Korean Chem.Soc.2004,25,1585]。其在显示器件和短距离、低速率的光纤 通信用光源等方面有广泛的应用。

实现白光LED有多种途径,考虑到可行性、适用性等因素,用发光波 长较短的LED去激发其它发光材料混合形成白光是理想的解决途径。这种 方式开发较早、成本低、是目前的主流方式。荧光转换白光LED主要有三 种组合方式。具体来说,蓝光LED芯片加YAG:Ce黄色荧光粉的方式已商 业化[T.Tamura,T.Setomoto,and T.Taguchi,J.Lumin.2003,82,685;P. Schlotter,J.Baur,C.Hielscher,M.Kunzer,H.Ovloh,R.Schmidt,and J. Schineider,Mater.Sci.Eng.B,1999,59,390],该技术被日本Nichia公司垄断, 且其显色性较差。第二种是蓝色LED芯片上涂敷绿色和红色荧光粉,但红 色荧光粉的效率有待较大幅度的提高。第三种实现方法是在紫光或紫外光 LED芯片上涂敷三基色荧光粉。该方法显色性更好,是目前得到人们广泛关 注和认同的方案[T.Taguchi,J.Light&Vis.Env.2003,27,131],但仍存在红绿 荧光粉转换效率低的问题。

从上所述,可看出白光LED的实现离不开高效率的红、绿、蓝三基色 荧光粉。目前转换效率较高的红色和绿色荧光粉多为硫化物体系,这类荧光 粉发光稳定性差,光衰较大或者成本较高。如已商业化的红色荧光粉-Eu 掺杂的CaS和SrS,它们极易吸湿潮解[K.Kato,and F.Okamoto,Jpn.J.Appl. Phys.1983,22,76],其差的稳定性不能满足LED应用的要求。因此,合成具 有良好发光特性、化学性质稳定、成本低廉的LED用荧光粉迫在眉睫。

在寻找新型荧光粉的过程中,选择合适的基质材料至关重要。主要考虑 因素为:(1)必须具有良好的化学稳定性。(2)合适的禁带宽度和晶体结构以 及低的生产成本。

综上所述,寻找良好的基质材料进而制备发光性能优异的LED用荧光 材料具有重大的科学和现实意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可用于白光LED的氧硫化物荧光材料及其 制备方法,所述的作为氧硫化物的基质材料为BaZnOS。发明的构思为: BaZnOS作为基质材料的氧硫化物,比硫化物更稳定;且为直接带隙半导体, 具有合适禁带宽度3.9eV;BaZnOS具有和SrZnO2、BaMnS2类似的结构, 属正交晶系,空间群为Cmcm(No.63)。[ZnO2S2]四面体以共顶角的方式连接 成层状,八配位的Ba2+充填其间;BaZnOS具有独特的Zn配位环境[ZnO2S2], Zn-O和Zn-S键长分别为和[ZnO2S2]具有不同于[ZnO4] 和[ZnS4]的C2v低对称性,势必对发光性能产生相应的影响。可见BaZnOS 是一种理想的发光基质候选材料。

本发明特征在于:BaZnOS通过相关过渡金属或稀土元素的掺杂,可实现 各种颜色的发光。BaZnOS是少见的含Zn的氧硫化物之一。许多含Zn的半 导体材料已被证明是良好的发光基质材料,如ZnO、ZnS、ZnSe、Zn2SiO4、 ZnGa2O4、ZnGa2S4、SrZnO2、Ba2ZnS3等。类似的,BaZnOS可在Zn位进行 过渡金属离子(如Cu,Mn)的掺杂,从而实现各色发光。

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