[发明专利]晶圆背面减薄工艺

权利要求书

1.一种三维封装工艺中的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，在两片晶圆的边 缘间隙填入填充物质，所述填充物质为硅胶，对所述填充物质进行烘烤使其 固化，以防止后续抛光时研磨浆流入两片晶圆的边缘间隙造成的研磨浆颗粒 在研磨压力的作用下导致的晶圆边缘断裂，然后对于晶圆背面进行研磨来减 薄晶圆厚度，并在研磨完成后对于晶圆背面进行抛光，在所述抛光后的晶圆 上再粘上一片晶圆，重复上述步骤，直至多片晶圆达到一定厚度，所述厚度 至少满足在研磨抛光时，不致使晶圆破裂，将所述多片晶圆翻转，采用与上 述相同的方法对最下面的晶圆背面减薄，即：先对晶圆背面进行研磨来减薄 晶圆厚度，并在研磨完成后对于晶圆背面进行抛光。

2.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，所述填充物质通过 点胶机填入晶圆边缘间隙。

3.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，填入填充物质的厚 度为0.5至2mm。

4.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，所述烘烤的温度为 120-400℃。

5.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，所述对于晶圆背面 进行研磨使用金刚砂轮。

6.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺，其特征在于，所述对于晶圆进行 抛光使用含炭化硅颗粒的研磨浆。