[发明专利]栅极制造方法有效
| 申请号： | 200710040258.4 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295641A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;张海洋;杜珊珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极制造方法，包括：
在半导体基底上沉积张应力膜层；
进行应力记忆工艺，强化半导体基底内的应力类型为压应力；
去除所述张应力膜层；
在所述半导体基底上沉积栅层；
刻蚀所述栅层。
2.根据权利要求1所述的栅极制造方法，其特征在于：所述沉积张应力膜层的工艺为PECVD工艺。
3.根据权利要求2所述的栅极制造方法，其特征在于：所述张应力膜层材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或碳氧化硅中的一种及其组合。
4.根据权利要求2所述的栅极制造方法，其特征在于：所述张应力膜层材料为氮化硅。
5.根据权利要求4所述的栅极制造方法，其特征在于：所述沉积张应力膜层的反应气体包括硅烷、氨气、氮气和氦气。
6.根据权利要求5所述的栅极制造方法，其特征在于：所述反应气体中氮气与氦气的体积百分比浓度大于或等于35％。
7.根据权利要求5所述的栅极制造方法，其特征在于：所述硅烷的流量范围为10～20sccm。
8.根据权利要求5所述的栅极制造方法，其特征在于：所述氨气的流量范围为5～10sccm。
9.根据权利要求5所述的栅极制造方法，其特征在于：所述氮气与氦气的混合气体的流量范围为2000～4000sccm。
10.根据权利要求5所述的栅极制造方法，其特征在于：所述反应室内压力范围为1000～1500mTorr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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