[发明专利]开口的填充方法及半导体器件的连接结构有效
| 申请号： | 200710040251.2 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295668A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 虞肖鹏;张复雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 填充 方法 半导体器件 连接 结构 | ||
1.一种开口的填充方法，提供第一开口，所述第一开口位于介电层内并暴露出位于介电层下的半导体衬底，其特征在于，包括如下步骤：
在第一开口暴露出的半导体衬底上生长外延层，形成第二开口；
在所述外延层上形成多晶硅层，填满第二开口；
所述第一开口的深/宽比大于等于3.0；
所述第二开口的深/宽比小于等于1.5，所述外延层的厚度为第一开口深度的30％至100％。
2.根据权利要求1所述开口的填充方法，其特征在于，所述外延层为单晶硅层。
3.根据权利要求2所述开口的填充方法，其特征在于，所述外延层为N型或者P型掺杂，掺杂离子浓度为1.0E+15至1.0E+21/cm3。
4.根据权利要求1所述开口的填充方法，其特征在于，所述多晶硅层为N型或者P型掺杂多晶硅，掺杂离子浓度为1.0E+15至1.0E+21/cm3。
5.根据权利要求1所述开口的填充方法，其特征在于，所述半导体衬底、外延层和多晶硅层的掺杂类型相同。
6.一种半导体器件的连接结构，具有半导体衬底和位于半导体衬底上的介电层，所述介电层内具有暴露出半导体衬底的第一开口，其特征在于，第一开口暴露出的半导体衬底上具有外延层和位于所述外延层上的多晶硅层；
所述第一开口的深/宽比大于等于3.0；
所述第二开口的深/宽比小于等于1.5，所述外延层的厚度为第一开口深度的30％至100％。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的连接结构，其特征在于，所述外延层为N型或者P型掺杂，掺杂离子浓度为1.0E+15至1.0E+21/cm3。
8.根据权利要求6所述的半导体器件的连接结构，其特征在于，所述多晶硅层为N型或者P型掺杂多晶硅，掺杂离子浓度为1.0E+15至1.0E+21/cm3。
9.根据权利要求6所述的半导体器件的连接结构，其特征在于，所述半导体衬底、外延层和多晶硅层的掺杂类型相同。
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