[发明专利]栅极介质层及栅极的制造方法有效
| 申请号： | 200710039808.0 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290886A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 虞肖鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 介质 制造 方法 | ||
1.一种栅极介质层的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底进行去耦等离子体氮化处理，使含氮基或氮基植入半导体衬底表面形成缓冲层以减缓后续氧化工艺的氧化速率；
所述去耦等离子体氮化的射频源的功率为0至2000W，工艺腔的压力为5至200mTorr，N2流量为100sccm至1slm，氮化时间为1至120s；
对经过所述去耦等离子体氮化处理的半导体衬底执行氧化工艺，形成含氧的介质层；
对所述含氧的介质层进行氮化和氮化后退火。
2.如权利要求1所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：所述去耦等离子体氮化所用的气体为N2或N2与He的混合气体。
3.如权利要求1所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：所述去耦等离子体氮化所用的气体为N2O、NO、NH3中的一种。
4.如权利要求1所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：所述氧化为快速热氧化、高温炉管氧化、原位生成水蒸气法氧化中的一种。
5.如权利要求2所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：所述氧化为原位生成水蒸气法氧化，所述原位生成水蒸气法氧化与所述去耦等离子体氮化在集成工艺腔中进行。
6.如权利要求1所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：对所述含氧的介质层进行的氮化为高温炉管氮化、快速热处理氮化、低温等离子体氮化、去耦等离子体氮化中的一种。
7.如权利要求1所述的栅极介质层的制造方法，其特征在于：所述退火和对所述含氧介质层进行氮化处理在集成工艺腔中进行。
8.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底表面进行去耦等离子体氮化处理，使含氮基或氮基植入半导体衬底表面形成缓冲层以减缓后续氧化工艺的氧化速率；
所述去耦等离子体氮化的射频源的功率为0至2000W，工艺腔的压力为5至200mTorr，N2流量为100sccm至1slm，氮化时间为1至120s；
对经过所述去耦等离子体氮化处理的半导体衬底表面执行氧化工艺，形成含氧的介质层；
对所述含氧的介质层进行氮化和氮化后退火；
在所述含氧的介质层上形成多晶硅层；
图形化并刻蚀所述多晶硅层和所述含氧的介质层。
9.如权利要求8所述的栅极的制造方法，其特征在于，进一步包括：在所述含氧的介质层上形成多晶硅层之后向所述多晶硅层中掺入磷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
