[发明专利]聚焦评估的方法有效
| 申请号： | 200710039477.0 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101286001A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郁志芳;余云初;张轲;王跃刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚焦 评估 方法 | ||
1. 一种聚焦评估的方法，其特征在于，包括下列步骤：
制作包含第一器件图形和第二器件图形的控片；
依次测量控片上同一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形临界尺寸差值；
在与控片同一批次的晶圆上形成第一器件图形和第二器件图形；
测量晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸；
将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸进行相减；
将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较。
2. 根据权利要求1所述的聚焦评估的方法，其特征在于：第一器件图形为PMOS图形，第二器件图形为NMOS图形。
3. 根据权利要求2所述的聚焦评估的方法，其特征在于：测量第一器件图形和第二器件图形临界尺寸的设备是电子扫描显微镜。
4. 根据权利要求1所述的聚焦评估的方法，其特征在于：所述将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较，两差值相差-0.003μm～0.003μm，聚焦能力好。
5. 根据权利要求4所述的聚焦评估的方法，其特征在于：所述将晶圆上任意曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较，两差值相差为0μm，聚焦能力最好。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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