[发明专利]多读端口寄存器文件级驱动位单元电路无效
| 申请号： | 200710035331.9 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101110261A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张民选;贺鹏;李少青;陈吉华;赵振宇;陈怒兴;马剑武;徐炜遐;乐大珩;孙岩;刘婷;董兰飞;唐世民;何小威;刘征 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 端口 寄存器 文件 驱动 单元 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种多读端口寄存器文件级驱动位单元电路，其特征在于：它包括由PMOS管P1，P2和NMOS管N1，N2，N3构成三态存储体核心单元、读端口单元、写端口单元以及反相器链，所述写端口单元与存储体核心单元相连，所述反相器链包括两个或两个以上尺寸不一样的反相器，反相器链的输入端与存储体核心单元相连，输出端与读端口单元相连，反相器链中沿着从存储体核心单元到读端口单元的方向反相器的尺寸逐级递增。
2.根据权利要求1所述的多读端口寄存器文件级驱动位单元电路，其特征在于：所述读端口单元包括两个或两个以上的NMOS管作为选通管，分别由一组与之对应的使能信号RE控制。
3.根据权利要求1或2所述的多读端口寄存器文件级驱动位单元电路，其特征在于：所述写端口单元包括两个或两个以上的NMOS管作为选通管，分别由一组与之对应的使能信号WE控制。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学，未经中国人民解放军国防科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710035331.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锯缘青蟹亲体人工培养抱卵技术
- 下一篇：含碘榨菜的栽培方法
