[发明专利]双面玻璃晶体硅太阳电池组件的封装方法无效
申请号: | 200710027966.4 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101060146A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 王磊;张臻;张正国;方玉堂;高学农 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 玻璃 晶体 太阳电池 组件 封装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种双面玻璃晶体硅太阳电池组件的封装方法,可用于光伏建筑一体化。
背景技术
双面玻璃组件美观,应用范围广,但封装工艺尚存在技术瓶颈,国内外光伏公司所推出的双面玻璃太阳电池组件,其生产成本,产品成品率以及产品耐侯性能等方面仍不能与普通组件相竞争。目前日本kyocera、德国shell等公司采用灌胶方法封装双面玻璃组件,这种工艺相对成熟并能生产曲面玻璃组件,但工艺成本非常高不适合大规模生产。
采用普通太阳电池组件层压封装工艺进行双面玻璃太阳电池的封装,由于使用了刚性的玻璃替代了普通组件所用的柔性TPE作为组件的背板材料,双面玻璃层压封装过程中由于两层刚性玻璃的挤压,很容易出现气泡、移位、太阳电池裂片、玻璃碎裂现象,为此德国一家组件设备公司推出带有冷却系统的层压设备,能解决双面玻璃组件气泡问题,但该工艺层压周期长,设备投资非常大。
近年国内外光伏产业飞速发展,国内几家太阳电池组件封装大厂也致力于双面玻璃太阳电池组件封装研究,并在国内的一些展会上推出双面玻璃太阳组件,部分组件在边缘均有少量气泡,且价格高,都还未能完全投入市场。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种采用普通组件层压机进行双面玻璃晶体硅太阳电池组件的封装方法,其工艺简单,效果明显,成本相对较低。
本发明提供了一种双面玻璃晶体硅太阳电池组件的封装方法。包括:(1)将串并联好的太阳电池片与玻璃、EVA胶膜从上至下叠加成玻璃-EVA胶膜-太阳电池-EVA胶膜-玻璃的五层结构;(2)对上述五层结构采用特定高分子材料进行处理;(3)当太阳电池层压机加热板温度到达70℃时,将层叠好的五层结构放入层压机中,对该结构进行加压;(4)设置层压机的层压温度为135~145℃,在该温度下层压时间为15~25min,层压时间结束后,平衡层压机下腔气压与大气压差,打开层压机上盖取出已成型的太阳电池组件。
所述玻璃3采用低铁钢化玻璃,所述EVA胶膜2的厚度为0.25~0.8mm,其厚度设在0.5~0.8mm最为适宜,所述五层结构的太阳电池片组件可以在叠加封装前将EVA胶膜2划上横竖若干倒痕,以达到减少EVA胶膜2有方向性的收缩,所述太阳电池组件在EVA胶膜2达到融化温度之前,需通过所述层压机的上气囊进行加压,所述层压温度可根据层压机的功率特征、所使用EVA胶膜2的特性参数进行优化设置。
由于采取上述技术方案,本发明的有益效果是:
(1)针对组件中产生气泡这一情况,本发明首先改进封装工艺,封装过程中对叠加好的五层结构的太阳电池组件使用高分子材料进行处理,这样封装好的双面玻璃太阳组件从层压机取出来后,空气无法进入玻璃之间,从而有效地避免气泡的产生,这种方法工艺简单、效果好,适于工业化生产。
(2)采用若干层适当厚度的EVA胶膜进行叠加,本发明能够有效的减少残留在组件中央太阳电池片之间的气泡。在叠加封装前EVA胶膜上划上横竖的若干刀痕可以明显减少EVA胶膜有方向性的收缩,控制组件中电池片发生位移。
(4)在EVA未收缩之前,层压机开始下室抽空,上气囊充气,这样两层玻璃紧压EVA与太阳电池片,多次实验表明,这种方法优化层压工艺,增加电池片移位的阻力,解决了太阳电池片移位的问题,调节合适的气囊充气时间、并保持焊点均匀,避免电池片碎片现象。
(5)本发明采用低铁钢化玻璃来解决在双面玻璃组件层压出现裂纹的情况,这种低铁刚化玻璃的特点是:透过率高、抗冲击能力强和使用寿命长。
(6)本发明另一特点在于组件在高温(140℃)层压以后不需要进行另外的固化过程,其不仅降低了设备投资,而且简化了工艺过程,有利于应用推广。
附图说明
图1是本发明方法封装的双面玻璃太阳电池组件的结构图;
图2是普通玻璃的光谱透过率;
图3是低铁钢化玻璃光谱透过率。
具体实施方式
为了更好的说明本发明与普通太阳电池组件封装方法相比的优越性,下面举例本发明的7个实施例对其实施步骤进行说明,但本发明的实施方法不限于此。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的