[发明专利]一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源

说明书

技术领域

本发明涉及一种广泛应用于电源芯片中的电压基准源，具体涉及一种混合信号芯片中采用工艺偏差补偿结构的电压基准源。

背景技术

高精度、低成本的电压基准源模块是模拟电路和数模混合电路中的重要部分。目前，高精度电压基准源主要采用双极型工艺和BiCMOS工艺制造，并且在芯片完成后还需要采用专门的修正技术来确保其精度。但是这些工艺技术复杂、制造成本高、与主流CMOS工艺不兼容，对芯片的逐个修正会大大降低生产效率。

现行CMOS集成电路占有市场约90％，产品高度集成化、数字和模拟电路混合集成成为当前的发展趋势，因此基于CMOS工艺的高精度电压基准源模块具有广阔的应用前景。但是CMOS工艺不可避免的工艺偏差会对电压基准源产品初始精度有较大的影响。初始精度指批量产品性能的一致性程度和容差。

文献K.N.Leung and K.T.Mok，“A 2-V 23-uA 5.3-ppm/℃Curvature-Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference，”IEEE J.Solid-State Circuits，vol.38，no.3，pp.561-564，Mar.2003.中采用电阻修正技术得到样品的基准电压初始精度为1.14205V±2.85mV。市场上主流产品如：美国MAXIM公司产品LM4051系列产品采用激光修正电阻来确保其初始精度，具体参数如下表：

 SYMBOL CONDITIONS  MIN  TYP  MAX  UNITS V_R T_A＝+25℃LM4O51A(0.1％)  1.2236  1.2250  1.2262  VLM4O51B(0.2％)  1.2226  1.2250  1.2275LM4O51C(0.5％)  1.2189  1.2250  1.2311 V_FTOL LM4O51A  ±1.2  ±7  mV LM4O51B  ±2.4  ±9 LM4O51C  ±6.0  ±12