[发明专利]高温分离法生产高纯度硅的方法

权利要求书

1.一种高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：其包括以下步骤：

1]准备硅溶液：在矿热炉中生产硅溶液，通过还原反应生产硅溶液：加热炉温为2400～2600℃，温度保持时间为1.5～2.5h；停止加热，捣炉；重新加热至炉温为2400～2600℃，温度保持时间为1.5～2.5h；

2]除渣：

将温度不低于2000℃的高温硅熔液倒入有保温措施的结晶器中，温度保持在1500～1900℃，气压为1个标准大气压，结晶器底部中间通入空气和/或惰性气体使熔液为翻腾状态，保持1～2h；

3]定向凝固分离：将除渣处理后的硅熔液自然冷却至环境温度，则凝固分离后得到高纯度硅层。

2.根据权利要求1所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述除渣的步骤还包括高温硅熔液倒入结晶器前的精炼炉除渣的步骤：

将熔炼好的温度高于2000℃的硅熔液倒入精炼炉中，温度保持在1500～1900℃，气压为0.5～2个标准大气压，通入氯气或者氧气或者富氧空气或者氯气和空气的混合气体进行除渣，保持0.5～1.5h。

3.根据权利要求2所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述通入氯气或者氧气或者富氧空气或者氯气和空气的混合气体是通过中空石墨棒从精炼炉上部进行的。

4.根据权利要求2所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述通入氯气或者氧气或者富氧空气或者氯气和空气的混合气体是通过管道从精炼炉底部进行的。

5.根据权利要求2所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述精炼炉除渣步骤是在气压为1～1.2个标准大气压条件下进行的。

6.根据权利要求2所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述精炼炉除渣步骤是持续通入富氧空气1h进行除渣。

7.根据权利要求1所述的高温分离法生产高纯度硅的方法，其特征在于：所述惰性气体为氩气。