[发明专利]电磁屏蔽装置无效

专利信息
申请号: 200710007211.8 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN101231707A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 刘伟德 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073;H05K9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电磁 屏蔽 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种电磁屏蔽装置。

背景技术

无线射频识别装置(RFID)携带可以被对应的接收器访问的数据或信息。RFID创造了快速、容易且没有人为误差地收集有关产品、位置、时间或交易的信息的自动方法。RFID提供了非接触的数据链路,且不需要在视线之内或不必担心限制其它自动识别技术例如条形码使用的恶劣或脏的环境。此外,RFID不仅仅是识别码,它还可以用作数据载体,即在必要或适当时可以写入和更新信息。在RFID内携带和存储的数据或信息可以易于被其他未经授权接收所述数据或信息的人员传播和获取。对于那些希望在RFID内安全地携带和存储数据或信息的人,这种对RFID数据或信息的未经授权的获取或接收是个问题。

发明内容

本发明提出了一种屏蔽制品,所述屏蔽制品包括实质导电层和与导电层相邻的实质导磁层。本发明的实施例能够以共同提供电磁屏蔽特性的实质导电层与实质导磁层为特征,以防止未经授权的或不希望的数据的获取或接收。本发明的实施例当设置在RFID的一侧时或当围绕RFID时,可以提供有效的屏蔽。

本发明还提供了一种屏蔽方法。所述方法包括步骤:将具有无线射频信息元件的设备设置成邻近屏蔽制品的导电层。所述方法还包括屏蔽无线射频信息元件与外部装置之间的电磁连通的步骤。所述方法也包括防止未经授权从无线射频信息元件释放信息的步骤。

附图说明

图1和图2图示了根据本发明实施例的、屏蔽制品和外部装置的两个实例;

图3和图4图示了根据本发明另一实施例的、屏蔽制品和覆盖层以及外部装置的两个实例;

图5是图示对应于本发明实施例的屏蔽效能曲线的曲线图;和

图6是图示对应于本发明实施例的磁导率曲线的曲线图。

具体实施方式

本发明包括多层屏蔽制品15,所述多层屏蔽制品15用于通过干扰或切断从电磁设备、电子设备、接收装置、或其他外部装置发射的电或磁无线射频检测信号而屏蔽无线射频识别装置。

多层屏蔽制品15的实施例可以包括实质导电层25和与实质导电层25相邻的实质导磁层35,所述实质导电层25和实质导磁层35起作用以便屏蔽或保护无线射频信息元件40。实质导电层25可以包括例如高导电率层。例如,这种高导电率层可以由诸如铜或铝等材料的金属制成。铜或铝材料的实例可以具有大约0.08mm的厚度。在一个示范性实施例中,铜或铝或其它导电材料可以具有直到大约0.1ohm/in2(欧姆/平方英寸)的表面电阻。在一个示范性实施例中,铜或铝或其它导电材料可以具有直到大约0.05ohm/in2的表面电阻。在另一示范性实施例中,铜或铝或其它导电材料可以具有直到大约0.005ohm/in2的表面电阻。在此包括权利要求中述及的表面电阻,可以通过将导电材料的样品置入两个镀金电极(每一个电极为1英寸×1英寸的平方尺寸)之间、且施加2kg的力以压缩电极之间的样品的方式进行测量。然后施加100mA的DC恒定电流,并测量电极之间的电压。之后,可以计算出表面电阻。实质导磁层35可以包括例如由FeCuNbSiB合金条(通过快速淬火非晶质合金制成)制成的高导磁层。导磁层35的实例可以具有大约0.025mm的厚度。在一个示范性实施例中,导磁层在50Hz时具有至少30,000的相对磁导率(μr)。在另一示范性实施例中,导磁层在50Hz具有至少60,000的相对磁导率(μr)。在另外的示范性实施例中,导磁层在50Hz具有至少100,000的相对磁导率(μr)。在此包括权利要求中述及的相对磁导率,可以根据试验标准IEC60404-6、例如在MATS-2010SA Soft Magnetic AC Tester上进行测量。导电层25和导磁层35的总体长度和宽度的尺寸可以基于应用而变化,但是在大多数的情况下,屏蔽制品15的总体尺寸应该等于或大于要被屏蔽制品15屏蔽的无线射频信息元件40的总体尺寸。

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