[发明专利]电磁屏蔽装置无效
| 申请号: | 200710007211.8 | 申请日: | 2007-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN101231707A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
| 发明(设计)人: | 刘伟德 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | G06K19/073 | 分类号: | G06K19/073;H05K9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电磁 屏蔽 装置 | ||
1.一种屏蔽制品,包括:
实质导电层;和
实质导磁层,所述导磁层与所述导电层相邻地设置,
其中所述导电层和所述导磁层共同提供电磁屏蔽特性,以便当无线射频信息元件位于在一侧的外部装置与在另一侧的导电层和导磁层之间时,防止通过所述外部装置从所述无线射频信息元件接收数据。
2.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述实质导电层包括金属。
3.根据权利要求2所述的屏蔽制品,其中所述实质导电层包括含铜或铝的材料。
4.根据权利要求3所述的屏蔽制品,其中所述实质导电层包括达到0.1欧姆/平方英寸的表面电阻。
5.根据权利要求3所述的屏蔽制品,其中所述实质导电层包括达到0.05欧姆/平方英寸的表面电阻。
6.根据权利要求3所述的屏蔽制品,其中所述实质导电层包括达到0.005欧姆/平方英寸的表面电阻。
7.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述实质导磁层包括包含FeCuNbSiB合金的材料。
8.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述实质导磁层在50Hz处具有至少30000的相对磁导率。
9.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述实质导磁层在50Hz处具有至少60000的相对磁导率。
10.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述实质导磁层在50Hz处具有至少100000的相对磁导率。
11.根据权利要求1所述的屏蔽制品,进一步包括粘合剂,所述粘合剂设置在导电层与导磁层之间。
12.根据权利要求1所述的屏蔽制品,其中所述导电层与所述导磁层共同包覆有导电织物层。
13.一种权利要求1所述的屏蔽制品与无线射频信息元件的组合,其中所述无线射频信息元件具有第一侧和第二侧,且其中所述第一侧实质地不受所述导电层和所述导磁层的阻碍。
14.根据权利要求13所述的组合,进一步包括视觉上透明的覆盖层,所述覆盖层位于所述无线射频信息元件的第一侧。
15.根据权利要求13所述的组合,其中所述屏蔽制品提供了在10MHz处大于80dB的屏蔽效能,其中所述屏蔽效能定义为使用屏蔽制品时的接收功率与没有使用屏蔽制品时的接收功率的比率。
16.根据权利要求13所述的组合,其中所述屏蔽制品提供了在5GHz处大于80dB的屏蔽效能,其中所述屏蔽效能定义为使用屏蔽制品时的接收功率与没有使用屏蔽制品时的接收功率的比率。
17.一种屏蔽方法,包括步骤:
提供屏蔽制品,所述屏蔽制品包括:
实质导电层;和
实质导磁层,所述导磁层与所述导电层相邻地设置;
将包括无线射频信息元件的设备设置成与所述屏蔽制品的所述导电层相邻;
将无线射频信息元件的一侧保持成实质上没有导电层和导磁层;
屏蔽无线射频信息元件与外部装置之间的电磁连通;和
防止未经授权从无线射频信息元件释放信息。
18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括步骤:
使用屏蔽制品屏蔽无线射频信息元件,以产生在10MHz处大于80dB的屏蔽效能,其中所述屏蔽效能定义为使用屏蔽制品时的接收功率与没有使用屏蔽制品时的接收功率的比率。
19.根据权利要求17所述的方法,进一步包括步骤:
使用屏蔽制品屏蔽无线射频信息元件,以产生在5GHz处大于80dB的屏蔽效能,其中所述屏蔽效能定义为使用屏蔽制品时的接收功率与没有使用屏蔽制品时的接收功率的比率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710007211.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用止动钢带的操纵机构
- 下一篇:啮合旋转发动机





