[发明专利]磁性存储单元的直接写入方法与磁性存储单元结构

权利要求书

1. 一种磁性存储单元的直接写入方法，该磁性存储单元包括磁性自由叠层，且该磁性自由叠层是由下铁磁层、非磁性耦合中间层、以及上铁磁层叠合所成，该下铁磁层与该上铁磁层分别有实质上相同方向的双方向易轴，该方法包括：

施加第一磁场在该双方向易轴的方向上；以及

进行写入操作，以写入第一储存态或是第二储存态到该磁性存储单元，

其中当该写入操作要写入该第一储存状态时进行：

施加第二磁场取代该第一磁场，其中该第二磁场在该双方向易轴的第一边，且夹有第一角度；以及

停止该第二磁场，

其中当该写入操作要写入该第二储存状态时进行：

施加第三磁场取代该第一磁场，其中该第三磁场在该双方向易轴的第二边，且夹有第二角度，其中该第一边与该第二边是相对的；以及

停止该第三磁场。

2. 如权利要求1的磁性存储单元的直接写入方法，其中该第一角度与该第二角度是实质上相等，且实质上小于90度。

3. 如权利要求2的磁性存储单元的直接写入方法，其中该第一角度与该第二角度实质上是接近45度。

4. 如权利要求1的磁性存储单元的直接写入方法，其中该磁性存储单元的该下铁磁层与该上铁磁层之其一具有单方向易轴，其中该单方向易轴与该双方向易轴之间有夹角。

5. 如权利要求4的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上小于90度。

6. 如权利要求4的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上是接近45度。

7. 如权利要求1的磁性存储单元的直接写入方法，其中该磁性存储单元的该下铁磁层与该上铁磁层具有分别不同异向性强度的二个单方向易轴，且分别与该双方向易轴之间有夹角。

8. 如权利要求7的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上小于90度。

9. 如权利要求8的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上是接近45度。

10. 如权利要求7的磁性存储单元的直接写入方法，其中该第一角度与该第二角度是实质上相等，且实质上小于90度。

11. 如权利要求10的磁性存储单元的直接写入方法，其中该第一角度与该第二角度实质上是接近45度。

12. 一种磁性存储单元的直接写入方法，适用于存取磁性存储单元，该磁性存储单元包括磁性自由叠层，且该磁性自由叠层是由下铁磁层、非磁性耦合中间层、以及上铁磁层叠合所成，该下铁磁层与该上铁磁层分别有实质上相同的双方向易轴，其中通过接近垂直且与该双方向易轴相夹接近45度的第一磁场与第二磁场，以相加产生操作磁场，该方法包括：

当该操作磁场是要写入第一储存状态时进行：

施加该第一磁场，该第一磁场是第一磁场准位波形，有第一宽度的第一脉冲；

实质上同时施加该第二磁场，该第二磁场是第二磁场准位波形，有第二宽度的第二脉冲，其中该第一宽度小于该第二宽度，且该第一脉冲与该第二脉冲有实质上相同的磁场强度，于第二脉冲结束后则该操作磁场回到磁场低准位；以及

当该操作磁场是要写入第二储存状态时进行：

施加该第一磁场，该第一磁场是第三磁场准位波形，有第三宽度的第三脉冲；

实质上同时施加该第二磁场，该第二磁场是第四磁场准位波形，有第四宽度的第四脉冲，其中该第三宽度大于该第四宽度，且该第三脉冲与该第四脉冲有实质上相同的磁场强度，于第三脉冲结束后则该操作磁场回到该磁场低准位。

13. 如权利要求12的磁性存储单元的直接写入方法，其中该磁性存储单元的该下铁磁层与该上铁磁层之其一具有单方向易轴，其中该单方向易轴与该双方向易轴之间有夹角。

14. 如权利要求13的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上小于90度。

15. 如权利要求13的磁性存储单元的直接写入方法，其中该夹角实质上是接近45度。

16. 如权利要求12的磁性存储单元的直接写入方法，其中该磁性存储单元的该下铁磁层与该上铁磁层具有分别不同异向性强度的二个单方向易轴，且分别与该双方向易轴之间有夹角。